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微电子制造技术实验教程


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微电子制造技术实验教程
  • 书号:9787030444943
    作者:
  • 外文书名:
  • 装帧:平装
    开本:B5
  • 页数:168
    字数:200
    语种:
  • 出版社:
    出版时间:2015-07-09
  • 所属分类:
  • 定价: ¥29.00元
    售价: ¥22.91元
  • 图书介质:
    纸质书 电子书

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本书是面向微电子及相关专业的实验教程,以微电子器件制造过程为主线,重点阐述学生在微电子制造技术学习中必须掌握的基础知识和实验方法。第1、2章介绍清洗、氧化、扩散、离子注入、光刻、刻蚀、沉积等相关制造工艺的基础知识和基础实验,详细阐述各项单步工艺的实验原理、实验设备、实验方法和步骤。第3章介绍微电子器件制造过程中的物理性能测试实验和电学性能测试实验。第4章介绍二极管、肖特基二极管、三极管、CMOS管、集成电阻器等器件的制造以及集成运算放大器的参数测试、逻辑IC功能和参数的测试两个综合实验。全书共28个实验项目,各实验相互独立,不同学校可根据实际实验条件选用。
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    第1章基础知识1
    1.1硅片1
    1.2清洗2
    1.3氧化4
    1.4扩散7
    1.5离子注入11
    1.6光刻13
    1.7刻蚀18
    1.8化学气相沉积22
    1.8.1APCVD22
    1.8.2LPCVD23
    1.8.3PECVD25
    1.9物理气相沉积29
    1.9.1蒸发29
    1.9.2磁控溅射31
    第2章基础工艺实验33
    2.1清洗工艺实验33
    2.1.1实验目的33
    2.1.2实验原理33
    2.1.3实验内容34
    2.1.4实验设备与器材34
    2.1.5实验步骤34
    2.1.6注意事项35
    2.1.7思考题35
    2.2氧化工艺实验35
    2.2.1实验目的35
    2.2.2实验原理36
    2.2.3实验内容37
    2.2.4实验设备与器材37
    2.2.5实验步骤37
    2.2.6注意事项38
    2.2.7思考题38
    2.3扩散工艺实验39
    2.3.1实验目的39
    2.3.2实验原理39
    2.3.3实验内容40
    2.3.4实验设备与器材40
    2.3.5实验步骤40
    2.3.6注意事项41
    2.3.7思考题41
    2.4离子注入实验41
    2.4.1实验目的41
    2.4.2实验原理41
    2.4.3实验内容43
    2.4.4实验设备与器材43
    2.4.5实验步骤43
    2.4.6注意事项43
    2.4.7思考题43
    2.5光刻实验44
    2.5.1实验目的44
    2.5.2实验原理44
    2.5.3实验内容44
    2.5.4实验设备与器材45
    2.5.5实验步骤45
    2.5.6注意事项45
    2.5.7思考题45
    2.6湿法刻蚀工艺实验46
    2.6.1硅刻蚀46
    2.6.2湿法刻蚀实验48
    2.6.3氮化硅的刻蚀50
    2.6.4铝刻蚀52
    2.7干法刻蚀实验53
    2.7.1实验目的53
    2.7.2实验原理54
    2.7.3实验内容56
    2.7.4实验设备与器材56
    2.7.5实验步骤56
    2.7.6注意事项58
    2.7.7思考题58
    2.8化学气相沉积实验58
    2.8.1LPCVD制备Si3N4、SiO2薄膜及非晶硅薄膜58
    2.8.2PECVD制备Si3N4、SiO2薄膜及非晶硅薄膜60
    2.9金属薄膜制备实验63
    2.9.1电子束蒸发工艺实验63
    2.9.2磁控溅射工艺实验65
    2.10金属剥离工艺实验68
    2.10.1实验目的68
    2.10.2实验原理68
    2.10.3实验内容69
    2.10.4实验设备与器材69
    2.10.5实验步骤70
    2.10.6注意事项70
    2.10.7思考题70
    第3章基础测试实验71
    3.1物理性能测试实验71
    3.1.1SiO2厚度测试实验71
    3.1.2方块电阻的测量实验74
    3.1.3结深的测量实验78
    3.2电学性能测试80
    3.2.1晶圆级二极管性能测试实验84
    3.2.2晶圆级双极型晶体管性能测试实验86
    3.2.3晶圆级MOS管性能测试实验89
    第4章微电子制造综合实验93
    4.1二极管制造实验93
    4.1.1实验目的93
    4.1.2实验原理93
    4.1.3实验内容97
    4.1.4实验设备与器材97
    4.1.6实验注意事项99
    4.1.7思考题99
    4.2肖特基二极管制造试验100
    4.2.1实验目的100
    4.2.2实验原理100
    4.2.3实验内容102
    4.2.4实验设备与器材103
    4.2.5实验步骤103
    4.2.6实验注意事项104
    4.2.7思考题104
    4.3三极管制造实验104
    4.3.1实验目的104
    4.3.2实验原理105
    4.3.3实验内容109
    4.3.4实验设备与器材109
    4.3.5实验步骤109
    4.3.6实验注意事项111
    4.3.7思考题111
    4.4CMOS管制造实验111
    4.4.1实验目的111
    4.4.2实验原理111
    4.4.3实验内容116
    4.4.4实验设备与器材116
    4.4.5实验步骤117
    4.4.6实验注意事项118
    4.4.7思考题119
    4.5集成电阻器制造实验119
    4.5.1实验目的119
    4.5.2实验原理120
    4.5.3实验内容124
    4.5.4实验设备与器材124
    4.5.5实验步骤124
    4.5.6实验注意事项126
    4.5.7思考题126
    4.6集成运算放大器参数测试实验126
    4.6.1实验目的126
    4.6.2实验原理127
    4.6.3实验内容128
    4.6.4实验设备与器材128
    4.6.5实验步骤129
    4.6.6思考题134
    4.7逻辑IC功能和参数测试实验134
    4.7.1实验目的134
    4.7.2实验原理134
    4.7.3实验内容146
    4.7.4实验设备与器材147
    4.7.5实验步骤148
    4.7.6思考题152
    主要参考文献153
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