编辑出版说明 序一 序二 我国微电子领域的战略科学家——记我们心目中的王老师 战 略 研 究 ■微电子科学技术和集成电路产业3 ■历史机遇与我国微电子发展之路46 ■2020年，把我国建成微电子强国58 ■不到长城非好汉61 ■今日长缨在手，何时缚住苍龙77 ■建设产前技术研发联盟，自主创新、增强核心竞争力86 ■附录：知识产权是微电子产业建设的关键94 发展前沿综述 ■21世纪的硅微电子学99 ■日新月异的微电子技术106 ■Technology Innovation and Talent Cultivation（技术创新与人才培养）112 ■面向产业需求的21世纪微电子技术的发展121 ■硅集成电路光刻技术的发展与挑战142 ■超深亚微米集成电路中的互连问题165 ■微电子芯片技术发展对材料的需求185 ■微机电系统204 学 术 论 文 第一部分SOI/CMOS器件与电路研究 ■A High?Performance SOI Drive?in Gate Controlled Hybrid Transistor（一个高性能SOI退火推进型栅控混合晶体管）213 ■Comprehensive Analysis of The Short Channel Effect in The SOI Gate Controlled Hybrid Transistor （SOI栅控混合晶体管短沟效应的全面分析）220 ■The Behavior of Narrow?Width SOI MOSFET’s with MESA Isolation（采用MESA隔离的窄宽度SOI MOSFET器件的特性）235 ■采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究248 ■Hot Carrier Induced Degradation in Mesa?Isolated n?Channel SOI MOSFETs Operating in a Bi?MOS Mode（工作在Bi-MOS模式下MESA隔离的n沟SOI MOSFET的热载流子导致的退化）253 ■全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型263 ■一个适用于模拟电路的深亚微米 SOI MOSFET器件模型269 ■适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析276 ■一个解析的适用于短沟SOI MOSFET?s 的高频噪声模型284 ■A Two?Dimensional Physically?Based Current Model for Deep Submicrometer SOI Dynamic Threshold?Voltage MOSFET（用于深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的一个基于物理机制的二维电流模型）292 ■A Novel Idea: Using DTMOS to Suppress FIBL Effect in MOSFET with High?k Gate Dielectrics（一个新的用DTMOS抑制MOSFET的FIBL效应的方法）306 ■Distortion Behavior for SOI MOSFET（SOI MOSFET的失真行为）315 ■Design Guideline of an Ultra?Thin Body SOI MOSFET for Low?Power andHigh?Performance Applications（高速低功耗超薄体SOI MOSFET的设计方法）320 第二部分 超深亚微米器件研究——模型，TCAD，High?K ■Effect of Grain Boundary on Minority Carrier Injection into Polysilicon Emitter(晶粒边界对少数载流子注入多晶硅发射极的影响)327 ■The Influence of Tunneling Effect and Inversion Layer Quantization Effect on Threshold Voltage of Deep Submicron MOSFET(隧穿效应和反型层量子化效应对深亚微米MOSFET的影响)338 ■Computer Simulation on Low Energy Ion Implantation Based on MolecularDynamics Methods（基于分子动力学方法的低能离子注入的计算机模拟）347 ■3～6nm 超薄SiO2栅介质的特性357 ■Threshold Voltage Model for MOSFETs with High?K Gate Dielectrics(高K栅介质MOSFETs的阈值电压模型)362 ■Interfacial and Structural Characteristics of CeO2 Films on Silicon with a Nitrided Interface Formed by Nitrogen?Ion?Beam Bombardment(采用氮离子来轰击形成的硅上CeO2的氮化物界面层的表面和结构特征)368 ■Influences of H+2 and He+ Co?implantation into Silicon on Electric Characteristics of MOSFETs（氢氦联合注入硅对MOSFET电性能的影响）378 ■Atomistic Simulation of Defects Evolution in Silicon During Annealing After Low Energy Self?Ion Implantation(原子模型模拟硅离子注入硅衬底的退火过程中的缺陷演化)386 ■Highly Scaled CMOS Device Technologies with New Structures and New Materials(采用新结构和新材料高度等比例缩小CMOS器件技术)396 第三部分 微机电系统（MEMS）研究 ■Silicon?Glass Wafer Bonding with Silicon Hydrophilic Fusion Bonding Technology(采用硅亲水熔融键合技术实现硅/玻璃键合)418 ■A Bulk Micromachined Vibratory Lateral Gyroscope Fabricated with Wafer Bonding and Deep Trench Etching(利用圆片键合和深刻蚀技术制造的体硅横向振动陀螺)424 ■An Improved TMAH Si?Etching Solution Without Attacking Exposed Aluminum(一种不腐蚀Al的TMAH硅腐蚀液)433 ■A Small Equipment of Q study of Microgyroscope(陀螺品质因子小型测试系统)445 ■An Experimental Study on High?Temperature Metallization for Micro?Hotplate?Based Integrated Gas Sensors(基于微热板的集成化学传感器高温金属化实验研究)451 ■硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究466 ■Fabrication of Keyhole?Free Ultra?Deep High?Aspect?Ratio Isolation Trench and Its Applications(无空洞超深高深宽比隔离槽制造技术及应用)483 ■Simulation of The Bosch Process with a String?Cell Hybrid Method(采用线单元混合模型进行BOSCH仿真)497 ■Integrated Bulk?Micromachined Gyroscope Using Deep Trench Isolation Technology(采用深槽刻蚀技术的集成体硅陀螺)513 第四部分 RF与电路研究 ■Numerical Calculation of Electromigration Under Pulse Current with Joule Heating(考虑焦耳热的脉冲直流下电迁移数值计算)520 ■Dependence of Electromigration Caused by Different Mechanisms on Current Densities in VLSI Interconnects(VLSI互连中不同机制下电迁移特性与电流密度的关系)535 ■多晶硅发射极超高速集成电路工艺548 ■Study on a Lateral?Electrical?Field Pixel Architecture for FLC Spatial Light Modulator with Continuously Tunable Grayscales（可连续调节灰度的FLC光谱调节器的横向电场像素结构研究）557 ■基于单元故障模型的树型加法器的测试566 科学研究方法论 ■贵在执著，重在分析，在系统的科学研究工作中必将有所发现、有所发明579 ■诺贝尔奖离我们并不遥远586 ■物理学研究与微电子科学技术的发展596 产 业 建 设 ■建设8英寸0.25微米集成电路生产线项目建议书609 ■论信息化与微电子产业616 ■北京要建设先进的集成电路芯片制造厂633 ■关于建设深圳微电子芯片制造厂的建议637 ■如何把国家集成电路设计上海产业化基地做强，做大650 ■关于专用设备产业建设的意见663 ■在中芯国际12英寸投产典礼上的讲话667教书育人 ■从美国加州伯克利大学研究生的培养看我国研究生制度的改革671 ■创新与人才培养676 ■在迎接2002年理科和文科新生会上的讲话687 ■立大志，常为新，成大器689 ■学校教育帮助我树立了一生的抱负691
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