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内容简介
本书是根据1971年日本电子学进展丛书之二《マイクロ波半導体デバイス》翻译的．全书内容共分七章：第一章阐述微波半导体器件的基础；其余第二至第七章依次分析变容管器件、肖特基二极管器件、隧道二极管器件、雪崩二极管器件、砷化镓体效应器件和晶体管器件的工作原理、线路性能和各种应用实例的电路结构；此外也简明扼要地介绍了有关的微波半导体元件的基本原理和主要特性．
本书的主要对象是研制微波半导体器件的工作人员，但也可供从事微波半导体元件和微波装置方面工作的人员参考．
目录
- 译者序
本书所用单位符号表
第一章 微波半导体器件的基础
1.1 微波半导体器件的发展过程
1.2 微波半导体元件的概况
1.2.1 变容管
1.2.2 非线性电阻二极管
1.2.3 隧道二极管
1.2.4 雪崩二极管
1.2.5 体效应二极管（耿氏二极管）
1.2.6 微波晶体管
1.3 微波半导体器件的品质因子
1.3.1 半导体元件的品质因子
1.3.2 微波半导体器件的品质因子
1.4 增益-带宽积
1.5 噪声系数
1.6 功率-频率极限
第二章 变容管器件
2.1 曼利-罗威功率关系式
2.1.1 非反转情况
2.1.2 反转情况
2.1.3 倍频器
2.2 参量放大器
2.2.1 参量放大器的分析
2.2.2 参量放大器的谐振电路
2.2.3 参量放大器的实例
2.3 倍频器
2.3.1 变容管倍频器
2.3.2 倍频器分析的概念
2.3.3 倍频电路的结构
2.3.4 倍频器的噪声
2.3.5 倍频器的不稳定性
2.3.6 变容管频率变换器
2.4 频率调制器
2.4.1 包含变容管的谐振电路
2.4.2 频率调制器的实例
第三章 肖特基二极管器件
3.1 肖特基二极管
3.1.1 等效电路与寄生元件
3.1.2 砷化镓肖特基二极管的结构
3.1.3 砷化镓肖特基二极管的静态特性
3.2 接收混频器
3.2.1 肖特基二极管与点接触二极管的比较
3.2.2 理论
3.2.3 具体测量方法
3.2.4 具体实例
3.3 检波器和调制器
3.3.1 低功率检波器
3.3.2 大信号检波器与调制器
3.4 肖特基变容管器件
3.4.1 肖特基二极管与扩散型变容二极管的比较
3.4.2 肖特基变容管器件
第四章 隧道二极管器件
4.1 隧道二极管的概况
4.1.1 电压-电流特性
4.1.2 静态特性
4.2 等效电路及其应用
4.2.1 等效电路
4.2.2 频率特性
4.2.3 稳定条件
4.3 放大器
4.3.1 放大器的结构类型
4.3.2 环行器型放大器
4.3.3 实例
4.4 振荡器及其应用
4.4.1 振荡器
4.4.2 同步牵引振荡器及其应用
4.5 其他应用
4.5.1 接收混频器
4.5.2 其他
第五章 雪崩二极管器件
5.1 二极管的特性
5.1.1 有源部分的等效电路
5.1.2 工作特性
5.2 IMPATT振荡器
5.2.1 振荡器的一般理论
5.2.2 串联电阻Rs的影响
5.2.3 实际的IMPATT振荡器
5.2.4 IMPATT振荡器的稳定方法
5.3 TRAPATT振荡器
5.4 放大器
5.4.1 放大器的特性
第六章 砷化镓体效应器件
6.1 耿氏二极管的结构与特性
6.1.1 结构
6.1.2 准静态特性
6.2 基本的工作模式
6.2.1 空间电荷增长波模式（n0L＜1012cm﹣2）
6.2.2 空间电荷积累层模式（n0L≧1012cm﹣2）
6.2.3 偶极层模式（n0L＞1012cm﹣2）
6.3 振荡器
6.3.1 振荡模式
6.3.2 耿氏振荡器
6.3.3 限累振荡器
6.4 放大器
6.4.1 两端放大器
6.4.2 行波放大器
6.4.3 注入同步放大器
6.5 其他应用
第七章 晶体管器件
7.1 微波晶体管的结构和等效电路
7.2 晶体管放大器
7.2.1 微波晶体管的小信号特性
7.2.2 晶体管放大器的具体实例
7.3 晶体管功率放大器
7.3.1 晶体管功率放大器的设计
7.3.2 功率放大器的具体实例
7.4 晶体管振荡器和倍频器
7.4.1 振荡器
7.4.2 倍频器
参考文献
京公网安备 11010102004214号