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材料科学 半导体的电子结构与性能(第4卷)


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材料科学 半导体的电子结构与性能(第4卷)
  • 书号:7030075250
    作者:[英]W.施罗特尔 甘骏人
  • 外文书名:
  • 装帧:精装
    开本:16开
  • 页数:530
    字数:785000
    语种:中文
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:1999-04-15
  • 所属分类:O47 半导体物理学
  • 定价: ¥73.00元
    售价: ¥57.67元
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  本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输运,本证点缺陷及深中心;第5章至第8章叙述平衡、非平衡,扩散和淀积,位错,半导体中的晶界及界面;第9章至第11章介绍量子线中的霍尔效应,氢化无定形硅的材料特性,硅中3d过渡元素的高温特性。
  本卷可供材料科学、物理、金属学、电子、机械、航空、航天等研究、教学及生产的科学技术工作者阅读、参考。
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  • 1 半导体中的能带理论
    2 光学性质和电输运
    3 半导体中的本征点缺陷
    4 半导体中的深中心
    5 平衡、非平衡、扩散和沉淀
    6 位错
    7 半导体中的晶界
    8 界面
    9 量子线中的霍尔效应
    10 氢化无定形硅的材料特性
    11 硅中3d过渡元素的高温特性
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