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本书依托国家“863”、“973”等项目，围绕PCRAM研发所涉及的基础科学与关键技术问题，对PCRAM的基本原理、PCRAM所用的材料体系、新型相变材料的理论与方法、PCRAM的关键单项工艺与集成工艺、器件单元结构改进、PCRAM所涉及的器件结构与芯片模拟、测试、芯片设计与制造等方面进行了较为详细的阶段性工作总结。
本书适合材料、微电子等相关专业的研究生、科技人员和教学人员使用。

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  前言
  第1章 绪论
  1.1 半导体存储器简介
  1.2 相变存储器概述
  1.3 相变存储器研究现状
  1.4 相变存储器的发展趋势
  参考文献
  第2章 Ge₂Sb₂Te₅相变材料及其改性
  2.1 Ge₂Sb₂Te₅薄膜的制备与性能表征
  2.2 Ge₂Sb₂Te₅薄膜的氮掺杂
  2.3 Ge₂Sb₂Te₅薄膜的氧离子掺杂
  2.4 纳米复合相变材料
  参考文献
  第3章 新型相变材料
  3.1 新型相变材料筛选理论与方法
  3.2 SiSbTe相变材料
  3.3 环境友好无碲SiSb相变材料
  参考文献
  第4章 相变存储单元制备及关键工艺
  4.1 纳米加热电极
  4.2 相变材料的干法刻蚀工艺
  4.3 化学机械抛光(CMP)
  4.4 电子束曝光工艺
  参考文献
  第5章 相变存储器模拟
  5.1 相变存储单元读、写操作的器件模拟
  5.2 Hspice电学模拟
  参考文献
  第6章 新结构相变存储单元
  6.1 基于夹在多晶锗层间的GeSbTe PCRAM器件
  6.2 相变存储器用三氧化钨下加热层
  6.3 相变存储单元底电极结构的改进——针状电极
  6.4 横向纳米线结构
  参考文献
  第7章 相变存储器测试
  7.1 材料电性能表征测试
  7.2 器件电性能测试及操作特性测试
  7.3 工艺一致性测试及WAT
  7.4 产品测试
  第8章 相变存储器设计与制造
  8.1 相变存储器的整体结构
  8.2 相变存储单元设计
  8.3 驱动模块设计
  8.4 基准电路设计
  8.5 控制逻辑设计
  8.6 相变存储器芯片制造
  参考文献