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碳化硅晶体生长与缺陷


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碳化硅晶体生长与缺陷
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  • 书号:9787030341280
    作者:施尔畏
  • 外文书名:The Growth and Defects of Silicon Carbide Crystal
  • 装帧:圆脊精装
    开本:B5
  • 页数:384
    字数:400
    语种:汉语
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2012/7/24
  • 所属分类:
  • 定价: ¥380.00元
    售价: ¥228.00元
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  本书系统地介绍了物理气相输运(PVT)法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作,由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分SimCn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。本书从碳化硅晶体结构出发,把气相组分作为贯穿生长原料分解升华、系统中的质量/能量输运、生长界面的结晶过程、晶体中缺陷的繁衍与发育等的一条主线,从而使读者对PVT法碳化硅晶体生长的复杂系统和过程有一个全面的、深入的认识和理解。   本书可供从事无机晶体生长研究的科技人员参考,亦可供从事相关领域研究的科技人员和在学研究生阅读。
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  • 前言
    1 碳化硅晶体的多型结构与表征
    1.1 晶体的多型
    1.2 碳化硅晶体的结构层与基本结构单元
    1.3 碳化硅晶体多型的共生与连生
    1.4 3C-SiC多型的结构
    1.5 2H-SiC多型的结构
    1.6 4H-SiC多型的结构
    1.7 6H-SiC多型的结构
    1.8 15R-SiC多型的结构
    1.9 碳化硅晶体多型结构参数的变化
    1.10 碳化硅晶体多型结构鉴别概述
    1.11 X射线衍射法鉴别碳化硅晶体多型结构
    1.12 高分辨率透射电子显微镜法鉴别碳化硅晶体多型结构
    1.13 吸收光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
    1.14 拉曼光谱法鉴别碳化硅晶体多型结构
    符号说明和注解
    2 碳化硅晶体的物理气相输运(PVT)法生长
    2.1 硅-碳二元体系和硅-碳-金属元素三元体系的相图
    2.2 固态碳化硅分解升华的热力学研究
    2.3 PVT法碳化硅晶体生长技术的发展历程
    2.4 PVT法碳化硅晶体生长系统概述
    2.5 PVT法碳化硅晶体生长模型研究
    2.6 PVT法碳化硅晶体生长系统的可控变量与间接变量
    2.7 PVT法碳化硅晶体生长系统变量之间的强耦合
    2.8 生长原料区温度场和碳化硅粉体的演变
    2.9 石墨坩埚生长腔内温度场的演变
    符号说明和注解
    3 气相组分和碳化硅晶体的生长机制
    3.1 气相组分概述
    3.2 PVT法碳化硅晶体生长的螺旋位错机制
    3.3 气相组分在PVT法碳化硅晶体生长研究中的地位
    3.4 纯硅气相组分Si_m的稳定构型与能量
    3.5 纯碳气相组分C_n的稳定构型与能量
    3.6 硅碳气相组分Si_mC_n的稳定构型与能量
    3.7 气相组分Si_mC_n构型的转变
    3.8 气相组分Si_mC_n的化学序
    3.9 气相组分Si_mC_n的相互作用
    3.10 气相组分Si_mC_n在生长界面上的结晶
    符号说明和注解
    4 碳化硅晶体的结晶缺陷
    4.1 碳化硅晶体结晶缺陷概述
    4.2 碳化硅晶片结晶质量的整体评价
    4.3 碳化硅晶片几何特性和表面加工质量的整体评价
    4.4 多型共生缺陷
    4.5 镶嵌结构缺陷
    4.6 堆垛层错
    4.7 孔道与微管道
    符号说明和注解
    后记
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