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  单电子学
  ￥63.20元

　　单电子学是纳电子学最重要的分支之一，它是有可能部分替代发展至终极时的纳米MOS电子学的最重要候选者之一。
　　本书系统地论述了以半经典理论为基础的单电子器件物理，包括网络分析理论、正统理论和超正统理论；传统概念下单电子电路的原理以及非传统概念单电子电路的研究；单电子系统的模拟方法，包括单电子器件和电路蒙特卡罗模拟法，单电子器件和电路主方程模拟法，单电子器件和电路与集成电路通用模拟程序（SPICE）兼容模拟法。本书是一部有明确的学术观点、理论体系及很强应用背景的学术著作。
　　本书可以作为纳米科学技术和相关学科的科学家、工程师、教师的参考书，也可供电子科学技术一级学科和交叉学科（计算机学、物理学、化学、生物学、材料学等）从事纳米科学技术学习和研究的高年级本科生、硕士研究生、博士研究生参考阅读。

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  基本符号表
  第一章　绪论
  1.1 　引言
  1.2 　单电子器件物理
  1.3 　单电子电路原理
  1.4 　单电子器件和电路模拟器
  参考文献
  第二章　单电子器件的网络理论和静电学
  2.1 　单电子器件的网络理论
  2.2 　单电子系统静电学
  2.3 　电容耦合单电子晶体管极限性能的估计
  参考文献
  第三章　金属基单电子器件的半经典理论
  3.1 　金属基单电子隧道结的半经典理论
  3.2 　单电子隧道结的主方程： 半经典动力学推导法
  3.3 　单电子隧道结的主方程： 密度算符推导法
  3.4 　单电子晶体管的正统理论
  3.5 　一维单电子隧道结阵列的电荷孤子和反孤子输运
  参考文献
  第四章　金属基单电子器件的电磁环境效应
  4.1 　经典电荷弛豫
  4.2 　LC回路的量子原理
  4.3 　考虑电磁环境效应的单电子隧道结的系统哈密顿
  4.4 　考虑电磁环境效应的单电子隧道结的隧穿率
  4.5 　单电子隧道结电磁环境效应的实例
  4.6 　考虑电磁环境效应的单电子晶体管的隧穿率
  4.7 　考虑电磁环境效应的多结系统的隧穿率
  参考文献
  第五章　金属基单电子器件的共隧道效应
  5.1 　弹性和非弹性共隧道效应
  5.2 　单电子晶体管共隧道的半经典理论
  5.3 　一维单电子隧道结阵列的共隧道半经典理论
  5.4 　无栅电荷偏置的1D-SETJA的电流-电压特性分析
  5.5 　栅电荷偏置的1D-SETJA的简化网络分析模型
  5.6 　单电子电荷泵的精度分析
  参考文献
  第六章　金属基单电子器件的噪声
  6.1 　一般经典噪声机制
  6.2 　单电子晶体管的热噪声和散粒噪声
  6.3 　一维单电子隧道结阵列中的散粒噪声
  参考文献
  第七章　介观超导隧道结理论
  7.1 　二次量子隧道效应
  7.2 　q的量子Langevin方程
  7.3 　布洛赫波振荡和电流-电压特性
  7.4 　涨落效应
  7.5 　密度矩阵分析法
  7.6 　单电子现象和磁通量子化之间的对偶性
  参考文献
  第八章　半导体基和人造原子单电子器件理论
  8.1 　半导体人造原子中的单电子效应
  8.2 　线性响应理论
  8.3 　非线性响应理论
  参考文献
  第九章　纳机电单电子器件理论
  9.1 　实验型纳机电单电子晶体管
  9.2 　穿梭输运的类型
  9.3 　粒子的经典穿梭模型
  9.4 　电子波的经典穿梭模型
  9.5 　粒子的量子穿梭模型
  参考文献
  第十章　单电子电路原理
  10.1 　单电子模拟电路
  10.2 　单电子逻辑电路
  10.3 　单电子存储器
  参考文献
  第十一章　单电子器件和电路模拟器
  11.1 　模拟器类型和层次结构
  11.2 　蒙特卡罗模拟法
  11.3 　主方程模拟器
  11.4 　SET-SPICE模拟器
  11.5 　纳机电单电子器件和电路模拟
  参考文献