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  半导体物理基础
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  半导体物理基础
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　　本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础。第1章、第2章介绍半导体的一般原理；第3章、第4章对pn结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行具体而深入的分析；第5章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识。
　　本书对一些基本概念的讲述做到了深入浅出、便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试。本书可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读。

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  第1章 掺杂半导体的导电性
  1.1 掺杂和载流子
  1.2 电导率和电阻率
  1.3 迁移率
  1.4 测量电阻率的四探针方法
  1.5 扩散薄层的方块电阻
  第2章 能级和载流子
  2.1 量子态和能级
  2.2 多子和少子的热平衡
  2.3 费米能级
  2.4 电子的平衡统计分布规律
  2.5 非平衡载流子的复合
  2.6 非平衡载流子的扩散
  第3章 pn结
  3.1 pn结的电流-电压关系
  3.2 空间电荷区中的复合和产生电流
  3.3 晶体管的电流放大作用
  3.4 高掺杂的半导体和pn结
  3.5 pn结的击穿
  3.6 pn结的电容效应
  3.7 金属-半导体接触
  第4章 半导体表面
  4.1 表面空间电荷区及反型层
  4.2 MIS电容器——理想C(V)特性
  4.3 实际MIS电容器的C(V)特性及应用
  4.4 硅-二氧化硅系统的性质
  4.5 MOS场效应晶体管
  4.6 电荷耦合器件
  第5章 晶格和缺陷
  5.1 晶格
  5.2 空位和间隙原子
  5.3 位错
  5.4 层错
  5.5 相变和相图