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内容简介
本书主要介绍与晶体管、集成电路等所谓硅平面器件有关的半导体物理基础．第一、二章介绍半导体的一般原理；第三、四章对PN结、半导体表面和MOS晶体管的物理原理进行比较具体和深入的分析；第五章结合具体的半导体材料，介绍了有关晶体和缺陷的基础知识．
本书对一些基本概念的讲述做到了深入浅出便于自学，在结合具体的半导体材料讲述晶体缺陷方面做了新的尝试．本书可以作为高等学校有关课程的教学参考书，也可供从事半导体技术工作的科技人员和工人阅读．

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• 序言
  第一章 掺杂半导体的导电性
  第一节 掺杂和载流子
  第二节 电导率和电阻率
  第三节 迁移率
  第四节 测量电阻率的四探针方法
  第五节 扩散薄层的方块电阻
  第二章 能级和载流子
  第一节 量子态和能级
  第二节 多子和少子的热平衡
  第三节 费米能级
  第四节 电子的平衡统计分布规律
  第五节 非平衡载流子的复合
  第六节 非平衡载流子的扩散
  第三章 PN结
  第一节 PN结的电流-电压关系
  第二节 空间电荷区中的复合和产生电流
  第三节 晶体管的电流放大作用
  第四节 高掺杂的半导体和PN结
  第五节 PN结的击穿
  第六节 PN结的电容效应
  第七节 金属-半导体接触
  第四章 半导体表面
  第一节 表面空间电荷区及反型层
  第二节 MIS电容器——理想C（V）特性
  第三节 实际MIS电容器的C（V）特性及应用
  第四节 硅-二氧化硅系统的性质
  第五节 MOS场效应晶体管
  第六节 电荷耦合器件
  第五章 晶格和缺陷
  第一节 晶格
  第二节 空位和间隙原子
  第三节 位错
  第四节 层错
  第五节 相变和相图