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  半导体材料（第三...
  ￥39.34元

本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材，介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长；第8章为Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体；第9章为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体；第10章为低维结构半导体材料；第11章为氧化物半导体材料；第12章为照明半导体材料；第13章为其他半导体材料。

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  第三版前言
  前言
  绪论
  第1章 硅和锗的化学制备 4
  1-1 硅和锗的物理化学性质 4
  1-2 高纯硅的制备 6
  1-3 锗的富集与提纯 13
  第2章 区熔提纯 16
  2-1 分凝现象与分凝系数 16
  2-2 区熔原理 20
  2-3 锗的区熔提纯 28
  第3章 晶体生长 30
  3-1 晶体生长理论基础 30
  3-2 熔体的晶体生长 46
  3-3 硅、锗单晶生长 52
  第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 59
  4-1 硅、锗晶体中杂质的性质 59
  4-2 硅、锗晶体的掺杂 62
  4-3 硅、锗单晶的位错 78
  4-4 硅单晶中的微缺陷 84
  第5章 硅外延生长 87
  5-1 外延生长概述 87
  5-2 硅衬底制备 89
  5-3 硅的气相外延生长 93
  5-4 硅外延层电阻率的控制 104
  5-5 硅外延层的缺陷 109
  5-6 硅的异质外延 113
  第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 118
  6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 118
  6-2 砷化镓单晶的生长方法 124
  6-3 砷化镓单晶中杂质的控制 131
  6-4 砷化镓单晶的完整性 135
  6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 137
  第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 141
  7-1 气相外延生长（VPE) 141
  7-2 金属有机物气相外延生长（MOVPE) 144
  7-3 液相外延生长（LPE) 152
  7-4 分子束外延生长（MBE) 158
  7-5 化学束外延生长（CBE) 162
  7-6 其他外延生长技术 164
  第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 170
  8-1 异质结与晶格失配 171
  8-2 GaAlAs外延生长 172
  8-3 InGaN外延生长 176
  8-4 InGaAsP外延生长 177
  8-5 超晶格与量子阱 182
  8-6 应变超晶格 188
  8-7 能带工程 189
  第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 192
  9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 192
  9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 198
  9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 201
  9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 205
  第10章 低维结构半导体材料 207
  10-1 低维结构半导体材料的基本特性 207
  10-2 低维结构半导体材料的制备 208
  10-3 低维结构半导体材料的现状及未来 212
  第11章 氧化物半导体材料 214
  11-1 氧化物半导体材料的制备 214
  11-2 氧化物半导体材料的电学性质 217
  11-3 氧化物半导体材料的应用 220
  第12章 照明半导体材料 225
  12-1 LED的基本结构 226
  12-2 外延生长GaN衬底材料的选择 226
  12-3 外延生长的发展趋势 228
  12-4 外延片结构改进 230
  第13章 其他半导体材料 233
  13-1 窄带隙半导体 233
  13-2 黄铜矿型半导体 235
  13-3 非晶态半导体材料 236
  13-4 有机半导体材料 237
  参考文献 240