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半导体器件研究与进展（二）


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半导体器件研究与进展（二）
  • 书号：7030021835
    作者：
  • 外文书名：
  • 装帧：
    开本：
  • 页数：0
    字数：234000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：TN3 半导体技术
  • 定价： ￥9.60元
    售价： ￥7.58元
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内容简介
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
本书是这套丛书的第二本，包括专题文章四篇，分别介绍窄禁带半导体红外探测器的发展，半导体发光的物理机制，金属硅化物理论及实验研究工作现状的综合评述以及超低阈值GaAlAs量子阱激光器．
本丛书的主要读者对象是在微电子学，半导体物理、器件、材料领域工作的科技人员，高等学校有关专业的教师和高年级大学生以及研究生．
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目录

  • 窄禁带半导体红外探测器 汤定元 童斐明
    一、前言
    二、Hg1－xCdxTe晶体的物理性质
    三、红外探测器概述
    四、光电导型红外探测器
    五、光伏型红外探测器
    六、多元列阵红外探测器
    参考文献
    半导体发光 徐叙瑢
    一、前言
    二、分立中心及复合发光
    三、边缘发射
    四、发光跃迁及无辐射跃迁
    五、瞬态光谱
    六、过热发光
    七、高激发密度下的发光
    八、p-n结发光
    九、高电场激发的发光
    十、结束语
    参考文献
    金属硅化物 许振嘉
    一、前言
    二、金属硅化物的形成
    三、过渡金属硅化物
    四、稀土金属硅化物
    五、金属硅化物的性质和应用
    六、结束语
    参考文献
    超低阈值GaAlAs量子阱激光器 刘锦贤
    一、光互连用的激光器
    二、超低阈值和超高速量子阱激光器
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