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本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低维结构的可控外延生长技术，并结合丰富的硅锗纳米结构可控生长实例，详细讨论图形硅衬底和斜切硅衬底上低维材料的可控外延生长及其生长机理。最后，简要介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

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  丛书序
  前言
  第1章 低维半导体材料及其物理性质 1
  1.1 异质结构的能带排列和带阶 1
  1.2 量子阱与超晶格 4
  1.3 量子点 9
  1.4 量子环 10
  参考文献 12
  第2章 低维半导体材料制备方法概述 13
  2.1 低维半导体材料刻蚀技术简介 13
  2.2 分子束外延生长技术 20
  2.3 低维半导体材料的自组织外延生长 30
  2.4 本章小结 39
  参考文献 39
  第3章 硅锗低维结构的生长理论 42
  3.1 硅锗低维结构的热力学理论 42
  3.2 图形衬底上硅锗量子点生长动力学理论 48
  3.3 小应力下薄膜外延生长机制 52
  3.4 本章小结 58
  参考文献 58
  第4章 硅锗低维结构的可控生长技术 60
  4.1 图形衬底辅助外延技术 60
  4.2 斜切Si衬底表面外延技术 83
  4.3 后处理形貌控制技术 93
  4.4 本章小结 100
  参考文献 100
  第5章 图形硅衬底上硅锗可控外延生长 105
  5.1 有序排布硅锗纳米岛 105
  5.2 可控硅锗纳米岛外延结构 127
  5.3 其他硅锗低维纳米结构生长控制 131
  5.4 本章小结 138
  参考文献 138
  第6章 斜切Si衬底上硅锗可控外延生长 141
  6.1〈1 1 0〉方向斜切Si衬底上硅锗量子点的可控生长 141
  6.2 斜切Si（1 1 10）衬底上硅锗纳米线的可控生长 148
  6.3〈1 0 0〉方向斜切衬底上硅锗纳米线的可控生长 159
  6.4 本章小结 169
  参考文献 170
  第7章 可控硅锗低维结构的光电特性 172
  7.1 可控硅锗量子点的发光特性 172
  7.2 石墨烯有序硅锗量子点复合结构的发光行为 191
  7.3 锗硅纳米结构与光学微腔共振模的耦合效应 194
  7.4 可控硅锗低维量子结构的电学输运特性 201
  7.5 本章小结 210
  参考文献 211
  第8章 硅锗低维结构片上可控集成与器件应用 215
  8.1 定位生长技术与器件可控集成 215
  8.2 硅锗低维可控结构与光电器件集成 219
  8.3 Si基低维新材料与可控光电集成 226
  8.4 可控量子点新型光电器件集成应用展望 246
  8.5 本章小结 250
  参考文献 251