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有机半导体存储器


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有机半导体存储器
  • 书号：9787030674418
    作者：黄维,解令海,仪明东
  • 外文书名：
  • 装帧：平脊精装
    开本：B5
  • 页数：206
    字数：280000
    语种：zh-Hans
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：2020-12-01
  • 所属分类：
  • 定价： ￥120.00元
    售价： ￥94.80元
  • 图书介质:
    纸质书

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本书系统总结了不同类型的有机半导体存储器的工作原理、器件结构、制备方法、存储材料、存储参数和性能表征。全书共四章，第一章概述了存储器的类型和发展趋势；第二章介绍有机二极管电存储器，对其工作原理、器件结构、制备方法、性能表征、工作机制等进行了总结；第三章介绍有机场效应晶体管存储器，对其工作原理、器件结构与参数、存储类型、存储器材料等进行了总结；第四章介绍了忆阻器的神经形态功能模拟。
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    丛书序
    前言
    第1章引言001
    1.1存储器的发展历史001
    1.1.1汞延迟线001
    1.1.2磁带002
    1.1.3磁鼓002
    1.1.4磁芯003
    1.1.5磁盘003
    1.1.6光盘004
    1.1.7微纳开关器件005
    1.2常用的无机存储器005
    1.2.1基于电容的存储器006
    1.2.2基于磁信号的硬盘007
    1.2.3基于场效应晶体管的闪存007
    1.2.4基于光信号的光盘007
    1.3存储器的发展趋势008
    1.3.1集成度不断提高008
    1.3.2存储速度不断提高008
    1.3.3工作电压不断降低008
    1.3.4新型存储器不断出现009
    1.4有机半导体存储器009
    第2章有机二极管电存储器018
    2.1基本原理018
    2.2器件结构及制备方法019
    2.2.1有机二极管电存储器的分类019
    2.2.2有机二极管电存储器的结构023
    2.2.3电存储器件的制备方法029
    2.3器件表征030
    2.3.1阈值电压031
    2.3.2响应时间031
    2.3.3耐受性能032
    2.3.4维持时间032
    2.3.5电流开关比032
    2.4工作机制033
    2.4.1丝状电导034
    2.4.2空间电荷限制和陷阱038
    2.4.3场致电荷转移机制038
    2.4.4构象转变与相变机制039
    2.4.5氧化还原机制040
    2.4.6隧穿机制041
    2.4.7载流子输运模型拟合042
    2.5有机电存储材料044
    2.5.1有机聚合物材料044
    2.5.2有机小分子材料050
    2.5.3树枝状大分子材料051
    2.5.4石墨烯材料051
    2.5.5电存储材料的发展方向056
    2.6新型二极管电存储器056
    2.6.1柔性电存储器056
    2.6.2有机生物电存储器058
    2.6.3有机发光电存储器065
    2.6.4有机/无机纳米粒子掺杂的电存储器072
    2.6.5分子开关存储器件102
    2.6.6多进制二极管电存储器106
    第3章有机场效应晶体管存储器125
    3.1有机场效应晶体管存储器的发展历史125
    3.2有机场效应晶体管存储器的基本介绍126
    3.2.1有机场效应晶体管存储器的基本结构126
    3.2.2有机场效应晶体管存储器的工作原理127
    3.2.3有机场效应晶体管存储器的基本参数131
    3.3有机场效应晶体管存储器的分类138
    3.3.1基于浮栅的有机场效应晶体管存储器138
    3.3.2基于聚合物电介体的有机场效应晶体管存储器141
    3.3.3基于有机铁电材料的有机场效应晶体管存储器144
    3.4有机场效应晶体管存储器的材料146
    3.4.1有机场效应晶体管存储器衬底材料146
    3.4.2有机场效应晶体管存储器绝缘层材料147
    3.4.3有机场效应晶体管存储器半导体材料149
    3.4.4有机场效应晶体管存储器电极材料150
    3.5几种特殊类型的有机场效应晶体管存储器150
    3.5.1多阶存储有机场效应晶体管存储器150
    3.5.2基于光调控的有机场效应晶体管存储器154
    3.5.3柔性有机场效应晶体管存储器158
    第4章忆阻器神经形态功能模拟172
    4.1突触和忆阻器的简介172
    4.1.1突触及突触可塑性173
    4.1.2忆阻器的典型特征174
    4.2基本突触功能的模拟175
    4.2.1短时程可塑性和长时程可塑性及其相互转化175
    4.2.2脉冲频率依赖可塑性185
    4.2.3脉冲时序依赖可塑性187
    4.2.4经验学习191
    4.3复杂突触功能的模拟192
    4.3.1稳态可塑性193
    4.3.2联想性学习195
    4.3.3非联想性学习196
    4.4忆阻器的未来与展望199
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