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位错


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位错
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  • 外文书名：
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    开本：
  • 页数：0
    字数：542000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：O69 应用化学 O77 晶体缺陷
  • 定价： ￥3.60元
    售价： ￥2.84元
  • 图书介质:
    纸质书

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内容简介
本书是系统地阐述位错理论的专著。全书共分三部分：第一部分描述位错的一般性质，包括位错的实验观测、单个位错的几何结构、弹性理论、运动方式及其在晶体生长中的作用。第二部分论述在晶体中可能形成的比较复杂的位错网络及相应于这种排列的范性性质，介绍了金属强度、蠕变、解理、加工硬化、回复、再结晶等过程的位错理论。第三部分讨论位错与其它晶体缺陷(主要是杂质)的相互作用，简述了位错对晶体光学性质和磁学性质的影响及其在磁阻、核磁共振实验及超导体中的作用。为了介绍近十余年来位错领域的进展，在原书后面补充了F. C. Frauk和J. W. Steeds在1975年写的一篇名为“晶体位错”的评论，作为本书的第十八章。
本书可供从事固体物理、固体化学、金属物理、金属学及金属材料等方面的科技人员及大专院校有关专业的师生参考。
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目录

  • 译者的话
    前言
    第一部 分位错的一般性质
    第一章 定义和例
    1.1．完整晶体和实际晶体
    1.2．经典弹性介质
    1.3．晶体
    1.4．平移位错
    1.4.1．Burgers回路
    1.4.2．“刃型”位错和“螺型”位错
    1.5．旋转位错
    1.6．图例说明
    1.6.1．皂泡筏模型
    1.6.2．表面台阶
    1.6.3．蚀坑
    1.6.4．在透明晶体中用沉淀体缀饰
    1.6.5．透射电子显微术
    1.6.6．X射线的衍射效应
    第二章 位错的弹性理论
    2.1．简单情形的研究
    2.1.1．螺型位错
    2.1.2．刃型位错
    2.1.3．能量
    2.1.4．位错中心
    2.1.5．位错引起的密度变化
    2.1.6．简单的旋转位错
    2.2．平移位错的普遍情形
    2.2.1．位错密度张量
    2.2.2．位错分布引起的应力
    2.2.3．线张力
    2.2.4．各向异性介质；多边形位错
    2.3．作用在位错上的力
    2.3.1．Peach和Koehler公式
    2.3.2．在应力作用下位错弧的平衡曲率
    2.3.3．位错间的相互作用·普遍公式
    2.3.4．两个平行位错间的相互作用
    2.3.5．起初是直的、但不平行的位错间的相互作用
    2.4．位错与自由表面的相互作用；像力
    第三章 位错的运动、滑移
    3.1．位错运动的实验证明
    3.1.1．蚀坑和生长图形
    3.1.2．滑移线
    3.1.3．理论弹性极限
    3.2．保守运动和非保守运动
    3.3．位错滑移
    3.3.1．Schmid定律
    3.3.2．Peierls-Nabarro力
    3.3.3．多边形位错；扭折
    3.3.4．滑移面的方向
    3.3.5．割阶
    3.4．滑移的动力学
    3.4.1．位错速度的测量
    3.4.2．位错的最大速度
    3.4.3．匀速运动的螺型位错
    3.4.4．固有振动频率
    3.4.5．温度对Peierls-Nabarro摩擦的影响
    3.4.6．内耗；Bordoni峰
    3.4.7．其他内耗
    3.5．位错线的自由能
    第四章 空位和间隙原子
    4.1．空位和间隙原子的性质
    4.2．形成能和移动能
    4.2.1．形成一个空位所需的能量
    4.2.2．形成一个间隙原子所需的能量
    4.2.3．缺陷的平衡浓度
    4.2.4．移动一个空位所需要的能量
    4.2.5．移动一个间隙原子所需要的能量
    4.2.6．缺陷的迁移率
    4.3．测量方法；自扩散
    4.3.1．换位与点缺陷的比较
    4.3.2．间隙原子与空位的比较
    4.3.3．自扩散激活能
    4.4．在各种温度下的测量结果
    4.4.1．随温度的测量
    4.4.2．淬火后测量
    4.4.3．淬火后退火
    4.4.3.1．方法
    4.4.3.2．空位壑
    4.4.3.3．软淬火
    4.4.3.4．硬淬火
    4.5．辐照
    4.5.1．一般观察
    4.5.2．铜的低温退火
    4.6．冷加工
    4.6.1．一般观察
    4.6.2．间隙原子沿位错的运动
    4.6.3．点缺陷的生成速度
    4.7．激活能的实验值
    第五章 位错攀移
    5.1．快速攀移
    5.1.1．攀移所需的力
    5.1.2．施于位错的力
    5.2．通过扩散而攀移
    5.2.1．割阶浓度
    5.2.2．施于割阶的力
    5.2.3．割阶扩散
    5.2.4．位错的扩散速度
    5.2.5．割阶被空位饱和
    5.3．冷加工过程中空位和间隙原子的产生
    5.3.1．偶极子位错的湮没
    5.3.2．割阶攀移
    5.3.3．“不同取向位错”的交截
    5.4．过饱和或欠饱和点缺陷产生的位错圈和蜷线位错
    5.4.1．位错圈的成长
    5.4.2．位错圈的收缩
    5.4.3．蜷线位错的平衡条件
    5.4.4．蜷线的成核
    5.4.5．蜷线的生长
    第六章 不全位错
    6.1．不全位错和错排面
    6.2．堆垛层错和孪晶
    6.2.1．有序合金
    6.2.2．面心立方金属及其它结构
    6.2.3．堆垛层错、孪晶和外延生长之间的关系
    6.3．面心立方结构中的不全位错
    6.3.1．Thompson记号
    6.3.2．Shockley位错
    6.3.3．Frank位错
    6.3.4．压杆位错
    6.4．空位或间隙原子集团、位错圈和层错四面体
    6.4.1．面心立方结构中的全位错圈和不全位错圈
    6.4.2．面心立方结构中的层错四面体
    6.4.3．其他结构中的空位圈和间隙原子圈
    6.5．全位错扩展为“不全”位错
    6.5.1．有序合金中的超位错
    6.5.2．简单晶体
    6.5.3．复杂结构
    6.5.4．扩展宽度
    6.6．扩展的结果
    6.6.1．交叉滑移
    6.6.2．割阶
    6.6.3．Cottrell障碍
    6.6.4．堆垛层错的攀移
    6.6.4.1．无限大的堆垛层错
    6.6.4.2．堆垛层错带
    6.6.4.3．高过饱和度与低过饱和度的比较
    6.7．机械孪生
    6.7.1．孪生位错
    6.7.2．孪晶的发展
    6.7.3．孪晶的形状
    6.7.4．孪晶顶端上的应力弛豫
    6.7.5．孪晶的稳定性
    6.7.6．孪晶的形成速度
    6.8．外延生长
    6.8.1．外延生长位错
    6.8.2．外延生长层的形成
    6.8.3．穿过外延生长层的滑移
    6.9．马氏体相变
    第七章 晶体生长
    7.1．从蒸气相中生长完整晶体
    7.1.1．平衡形状
    7.1.2．生长
    7.1.3．实验条件
    7.1.4．实验结果的尝试性解释
    7.2．含位错的晶体的生长速度
    7.3．生长蜷线
    7.4．从液相中生长
    7.4.1．熔体
    7.4.2．溶液
    7.4.3．局部过冷
    7.5．生长位错的起源
    7.5.1．从蒸气相或从溶液中生长
    7.5.2．从熔体中生长
    7.5.2.1．纯熔体
    7.5.2.2．不纯熔体
    第二部分 位错网络
    第八章 实际晶体的Frank网络；弹性极限
    8.1．Frank网络和多边化结构
    8.2．侵蚀图像
    8.3．X射线导出的“嵌镶结构”
    8.4．单晶体的弹性极限
    8.4.1．定义；完整晶体中的理论值
    8.4.2．Frank-Read源
    8.4.3．观测的弹性极限
    8.4.4．Frank网络引起的“林位错”
    8.4.4.1．Frank网络引起的长程应力
    8.4.4.2．与“不同取向位错”的弹性相互作用
    8.4.4.3．形成割阶
    8.4.5．薄晶体
    8.4.6．脆性晶体中的应力集中
    8.4.6.1．表面压痕
    8.4.6.2．体内压痕：尺寸效应
    8.4.6.3．体内压痕：弹性常数的影响
    8.4.6.4．表面棱角和台阶
    8.4.6.5．晶粒间界
    8.5．弹性常数的反常
    8.5.1．Frank网络
    8.5.2．精细多边化
    8.6.3．受应变的晶体
    8.6．Frank网络的大小
    第九章 冷加工；塞积群
    9.1．范性形变几何学
    9.2．硬化的原因
    9.3．单晶体中的片型流变
    9.3.1．切变、拉伸和压缩中的易滑移
    9.3.2．易滑移中的硬化
    9.3.2.1．一般面貌
    9.3.2.2．推广的Taylor模型
    9.3.2.3．偶极子
    9.3.2.4．滑移多边化
    9.3.2.5．形变带
    9.3.3．弯曲
    9.3.3.1．弯曲的几何学
    9.3.3.2．弯曲中的硬化
    9.3.3.3．拉伸或压缩试验中的弯曲力矩
    9.4．单晶体中的湍型流变
    9.4.1．三维网络
    9.4.2．面心立方晶体中的硬化
    9.4.3．Cottrell障碍
    9.4.4．位错塞积群
    9.4.5．面心立方晶体的第Ⅱ阶段
    9.4.6．面心立方晶体中的交叉滑移及第Ⅲ阶段
    9.5．多晶体的应变
    9.5.1．弹性各向同性材料中的微应变
    9.5.2．各向异性材料的抛物线型硬化
    9.5.3．宏观弹性极限
    9.5.4．大应变时的形变
    9.5.5．大应变时的硬化率
    9.6．冷加工状态的性质
    9.6.1．X射线线条宽度和储能
    9.6.2．位错密度
    9.6.3．空位和间隙原子的产生
    第十章 退火回复、多边化、再结晶、晶粒间界
    10.1．退火回复
    10.1.1．不同类型的退火回复
    10.1.2．形变过程中的多边化
    10.1.3．回复的初始阶段
    10.2．晶粒间界和亚晶界的本性
    10.2.1．晶粒间界的本性
    10.2.2．亚晶界的本性
    10.3．晶粒间界和亚晶界的性质
    10.3.1．能量
    10.3.2．沿晶粒间界的扩散
    10.3.3．沿位错线的管道扩散
    10.3.4．晶粒间界的迁移率
    10.4．多边化
    10.5．再结晶
    10.5.1．成核
    10.5.2．再结晶
    10.5.3．晶粒粗大化
    第十一章 蠕变
    11.1．描述
    11.2．低温形变
    11.2.1．a蠕变
    11.2.2．低温恒速下的拉伸
    11.3．高温形变
    11.3.1．广义的Nabarro蠕变（低应力或脆性材料）
    11.3.1.1．晶粒间界的Nabarro蠕变
    11.3.1.2．多边化晶界或孤立位错的Nabarro蠕变
    11.3.1.3．高温弹性极限
    11.3.1.4．高温内耗
    11.3.2．β和χ蠕变（大应力）
    11.3.2.1．χ蠕变
    11.3.2.2．β蠕变
    11.3.3．晶粒间界的作用；γ蠕变
    第十二章 解理
    12.1．描述
    12.1.1．解理位错
    12.1.2．解理台阶
    12.1.3．河
    12.2．裂缝成核
    12.2.1．解理所需的应力
    12.2.2．Griffith裂缝
    12.2.3．应力集中
    12.2.4．位错塞积群的作用
    12.2.5．机械孪生
    12.2.6．多边化的晶界
    12.2.6.1．六角密堆积金属中的扭折带
    12.2.6.2．离子晶体中两个滑移带的交叉
    12.2.6.3．经轻度形变的多晶体
    12.2.7．两条平行滑移线的并合
    12.2.8．应力集中的范性弛豫：脆性一延性转变
    12.3．裂缝扩展
    12.3.1．在脆性材料中运动的快速裂缝
    12.3.2．范性弛豫
    12.3.2.1．静裂缝的弛豫
    12.3.2.2．裂缝扩展的临界速度
    12.3.2.3．裂缝的稳定性
    12.3.2.4．范性弛豫对裂缝的阻塞
    12.4．脆性断裂和延性断裂
    第三部分 位错与其它缺陷的相互作用
    第十三章 与杂质相互作用的本质
    13.1．导言
    13.2．相互作用能
    13.2.1．定义
    13.2.2．饱和
    13.2.3．与振幅有关的内耗
    13.3．弹性相互作用
    13.3.1．使用的模型
    13.3.2．尺寸效应
    13.3.3．弹性常数不同引起的效应
    13.4．静电相互作用
    13.4.1．离子晶体
    13.4.2．金属
    13.5．螺型位错
    第十四章 包含均匀分布的杂质或沉淀体的晶体的硬度
    14.1．Mott和Nabarro理论
    14.2．沉淀体
    14.2.1．共格沉淀体及不共格沉淀体
    14.2.2．均匀分布的不共格沉淀体引起的弹性极限
    14.2.3．弹性极限随温度的变化
    14.2.4．硬化率
    14.3．G.P.区
    14.3.1．扁平的G.P.区
    14.3.2．球形G.P.区
    14.4．固溶体
    14.4.1．正常的硬化
    14.4.2．有序固溶体的硬化
    14.4.2.1．局部有序化
    14.4.2.2．长程有序
    第十五章 沿位错线含有不可动杂质气团或沉淀体的晶体的硬度
    15.1．不纯的时效晶体的拉伸试验
    15.2．单晶体
    15.2.1．脱钉所需的应力
    15.2.2．从扩展的气团脱离
    15.2.3．热激潘
    15.2.3.1．从Cottrell气团的热逃逸
    15.2.3.2．铁单晶体中弹性极限随温度的变化
    15.2.4．应力集中和屈服点
    15.3．多晶体
    15.3.1．微应变和上屈服点
    15.3.2．屈服点和Lüders带
    15.3.3．平台
    15.4．扩展位错
    15.5．被沉淀体钉扎
    15.6．纯晶体中的屈服点
    15.6.1．淬火后的硬化
    15.6.2．加工硬化以后的屈服点
    15.6.3．辐照硬化
    第十六章 杂质气团的形成和运动
    16.1．时效
    16.1.1．原理
    16.1.2．实验观察
    16.1.2.1．在α铁及其它合金中的间隙杂质
    16.1.2.2．纯晶体中的点缺陷
    16.2．微蠕变
    16.2.1．原理
    16.2.2．未饱和气团的拉曳
    16.2.3．从未饱和气团的热激活逃脱
    16.2.4．实验观察与讨论
    16.3．重复屈服点
    16.3.1．软钢的蓝脆
    16.3.2．Portevin-Lechatelier效应
    16.3.3．重复屈服点与动力学不稳定性
    第十七章 位错与晶体点阵其它扰乱的相互作用
    17.1．导言
    17.2．X射线和中子散射
    17.2.1．Lau#斑的形状
    17.2.2．单晶体中Bragg反射的强度
    17.2.3．Debye-Scherrer线
    17.2.4．低角散射
    17.3．薄膜电子显微术
    17.3.1．原理
    17.3.2．完整晶体中的消光轮廓；堆垛层错
    17.3.3．位错
    17.4．电学性质
    17.4.1．金属
    17.4.2．半导体
    17.4.3．离子晶体
    17.5．热导率
    17.5.1．绝缘体
    17.5.2．金属物质
    17.6．绝缘体和半导体中的光学性质
    17.6.1．光学吸收和光学发射.光的散射
    17.6.2．双折射
    17.7．铁磁性
    17.7.1．趋近饱和
    17.7.2．起始硬化率；Barkhausen效应
    17.8．其它磁学效应
    17.8.1．磁阻率
    17.8.2．核磁共振
    17.8.3．超导体
    第十八章 晶体位错 F.O.弗兰克 J.W.斯蒂兹
    18.1．序言
    18.2．一维模型
    18.3．Peierls-Nabarro模型
    18.4．圆柱体中的刃型位错
    18.5．更普遍的位错线
    18.6．各向异性弹性体中的直线位错
    18.7．位错线的易弯性质
    18.8．位错线的熵
    18.9．Burgers矢量
    18.10．位错的运动
    18.11．位错和点缺陷间的相互作用
    18.12．平行位错的相互作用
    18.13．扩展位错
    18.14．交滑移
    18.15．位错合成
    18.16．位错锁
    18.17．晶粒间界
    18.18．作用在位错上的力
    18.19．滑移运动所需的力
    18.20．攀移运动所需的力
    18.21．塞积平衡
    18.22．位错的起源
    18.23．扭折带的形成
    18.24．在位错上的吸收和沉淀
    18.25．电子与位错的相互作用
    18.26．加工硬化曲线
    18.27．位错中的割阶
    18.28．割阶拖曳
    18.29．蜷线过程
    附录
    A．弹性力学的基本关系
    B．室温下元素的某些物理性质
    C．若干晶系的共同滑移方向及孪生方向
    D．术语对照表
    参考文献
    索引
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