本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态以及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为（传质、传热、对流）、化学基础问题（包括材料的提纯与合成问题）以及物理基础（电、磁、力的作用原理）的综合分析。第三篇为晶体生长技术，分4章分别对以Bridgman法为主的熔体法晶体生长、以Czochralski方法为主的熔体法晶体生长、溶液法晶体生长以及气相晶体生长技术与最新发展进行介绍。第四篇分2章分别对晶体生长过程中缺陷的形成与控制和晶体的结构与性能表征方法进行论述。
本书可供从事晶体生长的科研和工程技术人员阅读，也可作为该领域研究生的教学参考书。
样章试读
目录
- 前言
第一篇 晶体生长的基本原理
第1章 导论
1.1 晶体的基本概念
1.1.1 晶体的结构特征
1.1.2 晶体结构与点阵
1.1.3 晶向与晶面
1.1.4 晶体的结构缺陷概述
1.2 晶体材料
1.2.1 常见晶体材料的晶体结构
1.2.2 按照功能分类的晶体材料
1.3 晶体生长技术的发展
1.4 晶体生长技术基础及其与其他学科的联系
参考文献
第2章 晶体生长的热力学原理
2.1 晶体生长过程的物相及其热力学描述
2.1.1 气体的结构及热力学描述
2.1.2 液体的结构及热力学描述
2.1.3 固体的结构及其热力学参数
2.1.4 相界面及其热力学分析
2.1.5 晶体生长的热力学条件
2.2 单质晶体生长热力学原理
2.2.1 单质晶体生长过程中的热力学平衡
2.2.2 液相及气相生长的热力学条件及驱动力
2.2.3 固态再结晶的热力学条件
2.3 二元系的晶体生长热力学原理
2.3.1 二元合金中的化学位
2.3.2 液-固界面的平衡与溶质分凝
2.3.3 气-液及气-固平衡
2.4 多组元系晶体生长热力学分析
2.4.1 多元体系的自由能
2.4.2 多元系结晶过程的热力学平衡条件
2.4.3 相图计算技术的应用
2.5 化合物晶体生长热力学原理
2.5.1 化合物分解与合成过程的热力学分析
2.5.2 复杂二元及多元化合物体系的简化处理
2.5.3 化合物晶体非化学计量比的成分偏离与晶体结构缺陷
2.5.4 熔体中的短程序及缔合物
参考文献
第3章 晶体生长的动力学原理
3.1 结晶界面的微观结构
3.1.1 结晶界面结构的经典模型
3.1.2 界面结构的Monte-Carlo(MC)模拟
3.2 结晶界面的原子迁移过程与生长速率
3.3 晶体生长的本征形态
3.3.1 晶体生长形态的热力学分析
3.3.2 晶体生长形态的动力学描述
参考文献
第4章 实际晶体生长形态的形成原理
4.1 晶体生长驱动力与平面结晶界面的失稳
4.2 枝晶的形成条件与生长形态
4.3 枝晶阵列的生长
4.3.1 Hunt模型
4.3.2 Kurz-Fisher模型
4.3.3 Lu-Hunt数值模型
4.4 强各向异性晶体强制生长形态
4.5 多相协同生长
4.5.1 亚共晶生长
4.5.2 共晶生长
4.5.3 偏晶生长
4.5.4 包晶生长
参考文献
第5章 晶体生长过程的形核原理
5.1 均质形核理论
5.1.1 熔体中的均质形核理论
5.1.2 气相与固相中的均质形核
5.1.3 均质形核理论的发展
5.2 异质形核
5.2.1 异质形核的基本原理
5.2.2 异质外延生长过程中的形核
5.3 多元多相合金结晶过程中的形核
5.3.1 多组元介质中的形核
5.3.2 多相形核过程的分析
5.4 特殊条件下的形核问题
5.4.1 溶液中的形核
5.4.2 电化学形核
5.4.3 超临界液体结晶过程中的形核
参考文献
第二篇 晶体生长的技术基础
第6章 晶体生长过程的传输问题
6.1 晶体生长过程的传质原理
6.1.1 溶质扩散的基本方程
6.1.2 扩散过程的求解条件与分析方法
6.1.3 扩散系数的本质及其处理方法
6.1.4 晶体生长过程扩散的特性
6.1.5 多组元的协同扩散
6.1.6 外场作用下的扩散
6.2 晶体生长过程的传热原理
6.2.1 晶体生长过程的导热
6.2.2 晶体生长过程的辐射换热
6.2.3 晶体生长过程的对流换热与界面换热
6.2.4 晶体生长过程温度场的测控方法与技术
6.3 晶体生长过程的液相流动
6.3.1 流动的起因与分类
6.3.2 流体的黏度
6.3.3 流体流动的控制方程
6.3.4 流体流动过程的求解条件与分析方法
6.3.5 层流与紊流的概念及典型层流过程分析
6.3.6 双扩散对流
6.3.7 Marangoni对流
参考文献
第7章 晶体生长过程中的化学问题
7.1 晶体生长过程相关的化学原理
7.1.1 晶体生长过程的化学反应
7.1.2 物质的主要化学性质和化学定律
7.1.3 化学反应动力学原理
7.1.4 化学反应过程的热效应
7.1.5 化学反应的尺寸效应
7.1.6 晶体生长过程的其他化学问题
7.2 原料的提纯
7.2.1 气化-凝结法
7.2.2 萃取法
7.2.3 电解提纯法
7.2.4 区熔法
7.3 晶体生长原料的合成原理
7.3.1 熔体直接反应合成
7.3.2 溶液中的反应合成
7.3.3 气相反应合成
7.3.4 固相反应合成
7.3.5 自蔓延合成
参考文献
第8章 晶体生长过程物理场的作用
8.1 晶体生长过程的压力作用原理
8.1.1 重力场中的压力
8.1.2 微重力场的特性与影响
8.1.3 超重力场的特性与影响
8.1.4 晶体生长过程的高压技术
8.2 晶体生长过程中的应力分析
8.2.1 应力场计算的基本方程
8.2.2 应力场的分析方法
8.2.3 应力作用下的塑性变形
8.2.4 薄膜材料中的应力
8.3 电场在晶体生长过程中的作用原理
8.3.1 材料的电导特性
8.3.2 材料的电介质特性
8.3.3 晶体生长相关的电学原理
8.3.4 电场在晶体生长过程应用的实例
8.4 电磁场在晶体生长过程中应用的基本原理
8.4.1 电磁效应及磁介质的性质
8.4.2 电磁场的作用原理
8.4.3 电磁悬浮技术
8.4.4 电磁场对对流的控制作用
参考文献
第三篇 晶体生长技术
第9章 熔体法晶体生长(1)——Bridgman法及其相似方法
9.1 Bridgman法晶体生长技术的基本原理
9.1.1 Bridgman法晶体生长技术简介
9.1.2 Bridgman法晶体生长过程的传热特性
9.1.3 Bridgman法晶体生长过程结晶界面控制原理
9.2 Bridgman法晶体生长过程的溶质传输及其再分配
9.2.1 一维平界面晶体生长过程中的溶质再分配
9.2.2 多元合金及快速结晶条件下的溶质分凝
9.2.3 实际Bridgman法晶体生长过程中的溶质分凝分析
9.3 Bridgman法晶体生长过程的数值分析
9.3.1 Bridgman法晶体生长过程数值分析技术的发展
9.3.2 Bridgman法晶体生长过程多场耦合的数值模拟方法
9.3.3 晶体生长过程应力场的数值分析
9.4 Bridgman法晶体生长工艺控制技术
9.4.1 Bridgman法晶体生长过程的强制对流控制
9.4.2 Bridgman法晶体生长过程的电磁控制
9.4.3 水平Bridgman法及微重力条件下的Bridgman法晶体生长
9.4.4 高压Bridgman法晶体生长
9.4.5 其他Bridgman生长方法
9.5 其他定向结晶的晶体生长方法
9.5.1 垂直温度梯度法
9.5.2 区熔-移动加热器法
9.5.3 溶剂法
9.5.4 浮区法
参考文献
第10章 熔体法晶体生长(2)——Cz法及其他熔体生长方法
10.1 Cz法晶体生长的基本原理与控制技术
10.1.1 Cz法晶体生长的基本原理
10.1.2 Cz法晶体生长过程的控制技术
10.2 Cz法晶体生长过程的传热与生长形态控制
10.2.1 Cz法晶体生长过程的传热特性
10.2.2 环境温度和气相传输的影响
10.2.3 晶体内辐射特性的影响
10.2.4 晶体旋转与温度的波动
10.3 电磁控制技术在Cz法晶体生长中的应用
10.3.1 静磁场控制Cz法晶体生长中的对流
10.3.2 交变磁场对Cz法晶体生长过程的影响
10.3.3 电流场和磁场共同作用下的Cz法晶体生长
10.4 Cz法晶体生长过程传质特性与成分控制
10.4.1 多组元熔体Cz法晶体生长过程中的溶质再分配及其宏观偏析
10.4.2 Cz法晶体生长过程中熔体与晶体中的成分控制
10.5 其他熔体法晶体生长的方法
10.5.1 成形提拉法(导模法)
10.5.2 泡生法
10.5.3 火焰熔融生长法
参考文献
第11章 溶液法晶体生长
11.1 溶液法晶体生长的基本原理和方法
11.1.1 溶液的宏观性质
11.1.2 溶液中溶质的行为及溶剂的选择
11.1.3 实现溶液中晶体生长的条件及控制参数
11.1.4 溶液中的晶体生长机理
11.2 溶液法晶体生长的基本方法
11.2.1 溶液的配制
11.2.2 溶液法晶体生长的基本方法与控制原理
11.2.3 溶液法晶体生长的控制方法
11.3 溶液法晶体生长过程的传输过程及其控制
11.3.1 结晶界面附近的溶质传输特性
11.3.2 溶液法晶体生长过程的对流传输原理和方法
11.3.3 溶液法晶体生长过程中对流的控制
11.3.4 溶液液区移动法晶体生长过程的传质
11.4 其他溶液晶体生长技术
11.4.1 高温溶液生长
11.4.2 助溶剂法
11.4.3 水热法
11.4.4 液相电沉积法
参考文献
第12章 气相晶体生长方法
12.1 气相生长方法概述
12.2 物理气相生长技术
12.2.1 物理气相生长的基本原理
12.2.2 生长界面的结构与晶体的非平衡性质
12.2.3 物理气相生长过程中气体分压的控制
12.2.4 物理气相生长过程中的传输
12.3 化学气相生长技术
12.3.1 化学气相生长的特性
12.3.2 气相分解方法
12.3.3 气相合成法
12.3.4 复杂体系气相反应合成
12.3.5 化学气相输运法
12.4 其他气相生长方法简介
12.4.1 气-液-固法
12.4.2 溅射法晶体生长技术的基本原理
12.4.3 分子束外延生长技术的基本原理
12.4.4 MOCVD生长技术的基本原理
参考文献
第四篇 晶体缺陷分析与性能表征
第13章 晶体缺陷的形成与控制
13.1 晶体中点缺陷的形成与控制
13.1.1 点缺陷对晶体性能的影响
13.1.2 简单晶体中热力学平衡点缺陷浓度的计算
13.1.3 化合物晶体中平衡点缺陷浓度的热力学计算
13.1.4 晶体生长过程中点缺陷的形成与控制
13.1.5 晶体后处理过程中点缺陷的形成与控制
13.2 成分偏析及其形成原理
13.2.1 成分偏析的类型及其成因
13.2.2 多组元晶体中的成分偏析及其对性能的影响
13.2.3 杂质与掺杂的偏析
13.2.4 条带状偏析
13.2.5 胞晶生长引起的成分偏析
13.3 沉淀相与夹杂的形成
13.3.1 沉淀与夹杂的类型及其对晶体性能的影响
13.3.2 液相中夹杂的裹入
13.3.3 结晶界面附近夹杂的形成
13.3.4 固相中沉淀相的析出与退火消除
13.4 位错的形成
13.4.1 典型晶体中位错的类型及其对晶体性能的影响
13.4.2 籽晶与异质外延生长引入的位错
13.4.3 应力与位错的形成
13.4.4 成分偏析引起的位错
13.4.5 夹杂引起的位错
13.5 晶界与相界及其形成原理
13.5.1 晶界和相界的结构及其对晶体性能的影响
13.5.2 晶界成分偏析
13.5.3 晶界扩散
13.5.4 晶界与相界的形成与控制
13.6 孪晶与层错的形成
13.6.1 孪晶与层错的结构和性质
13.6.2 变形孪晶的形成
13.6.3 生长孪晶与层错
13.6.4 退火孪晶与层错
13.7 晶体的表面特性
13.7.1 晶体表面的基本性质与清洁表面的获得
13.7.2 表面原子结构
13.7.3 表面电子结构的研究
13.7.4 功函数的研究
参考文献
第14章 晶体的结构与性能表征
14.1 晶体性能表征方法概论
14.1.1 晶体结构、缺陷、组织与成分分析
14.1.2 晶体物理性能分析
14.2 晶体组织结构的显微分析
14.2.1 光学显微分析
14.2.2 电子显微分析
14.2.3 原子力显微镜及扫描隧道显微镜分析
14.2.4 晶体显微分析试样的制备
14.3 晶体结构的衍射分析
14.3.1 X射线衍射分析的基本原理
14.3.2 电子衍射
14.3.3 单晶体结构缺陷的衍射分析
14.3.4 晶体应力应变的衍射分析
14.4 晶体电学参数的分析
14.4.1 I-V和C-V测量
14.4.2 vanderPauw-Hall测试
14.4.3 载流子迁移率和寿命乘积(μτ)的测试
14.4.4 介电材料的性能测定
14.5 晶体光学、磁学及其他物理性能的分析
14.5.1 晶体的基本光学性质测定
14.5.2 晶体透射光谱分析
14.5.3 光致发光
14.5.4 晶体的Raman散射特性
14.5.5 晶体的磁学性能
14.5.6 晶体的磁光性质
14.5.7 其他物理性能概论
参考文献
京公网安备 11010102004214号