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内容简介
电致发光是一种使电能转变为光的过程．它是了解物体内部结构和过程的良好指示剂，近年来，它在实际应用中已取得了巨大的成功．电致发光机理的研究对于其他有关学科也有着重大的理论意义和实际价值．
本书介绍了电致发光的物理学和工艺学，提供了迅速掌握这一学科的基础知识，并对这一技术的最新发展作了评述．书中还提供了许多有用的参考文献和新的见解．
本书各章分别由在这一领域中工作多年的专家执笔．全书按材料的类型分成六章：第一章绪论；第二章Ⅳ族材料（以SiC为主）；第三章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第四章Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的最新进展；第五章黄铜矿；第六章发光薄膜．
本书可供从事电致发光的研究技术人员和物理、化学、生物、半导体、材料科学等有关科技人员及大专院校有关专业的师生参考．
目录
- 前言
第一章 绪论 J.I.潘科夫著 王志华译
§1.1 辐射跃迁
1.1.5 施主-受主跃迁
1.1.1 带间跃迁
1.1.2 杂质与带之间的跃迁
1.1.3 在定域中心上的跃迁
1.1.4 在等电子中心上的跃迁
§1.2 无辐射复合
1.2.1 多声子发射
1.2.2 俄歇效应
1.2.3 无辐射缺陷
§1.3 发光效率
§1.4 激发机理
1.4.1 注入发光
pn结
异质结
肖脱基势垒
MIS结构
1.4.2 辐射隧穿
1.4.3 击穿发光
1.4.4 移动的高场畴的发光
耿效应感生的发光
声电效应感生的发光
§1.5 心理物理学的考虑
第二章 Ⅳ族材料（以SiC为主） Y.M.泰罗夫 Y.A.沃达科夫著 翟劲松译
§2.1 简况
§2.2 SiC的物理性质
2.2.1 晶体结构
2.2.2 电学性质
2.2.3 光学性质
§2.3 材料制备
2.3.1 溶液生长法
2.3.2 热分解法
2.3.3 升华法
§2.4 电致发光器件
2.4.1 器件制造
2.4.2 可能的应用
2.4.3 发光二极管的特性
第三章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 P.J.迪安著 朱文曼 李维楠译
§3.1 概说
§3.2 识别杂质的光学技术
§3.3 GaP的能带结构和等电子陷阱发光激活剂
§3.4 GaP和GaAs1－xPx中氮的新效应
§3.5 复合动力学和无辐射途径
§3.6 深能级的探测技术及其表征方法
§3.7 多声子发射的载流子俘获和复合感生的缺陷运动
§3.8 GaP中的深能级与旁路
§3.9 位错与发光形貌学
§3.10 和空位有关的复合
§3.11 在注入式激光器中的暗线老化
§3.12 半导体中电子和空穴的二维限制的光学效应
§3.13 氮化镓
§3.14 前景展望
第四章 Ⅱ-Ⅵ族化合物注入式发光的最新进展 Y.S.帕克 B.K.希恩著 张新夷译
§4.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物的性质
4.1.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物和注入式电致发光
4.1.2 材料研究
4.1.3 掺杂
4.1.4 补偿效应
4.1.5 离子注入掺杂
§4.2 发光跃迁
4.2.4 宽谱带发光
4.2.1 激子跃迁
4.2.2 边缘发射和对的光谱
4.2.3 声子
§4.3 电致发光
4.3.1 电致发光的机理
4.3.2 非pn结结构：实验
4.3.3 pn结：实验
§4.4 前景展望
第五章 黄铜矿 S.瓦格纳著 周国华译
§5.1 黄铜矿的性质
5.1.1 晶体结构
5.1.2 能带结构
5.1.3 电学性质
§5.2 材料和器件的制备工艺
5.2.1 相图
5.2.2 单晶的生长
5.2.3 结的形成与二极管的制备
§5.3 发光跃迁和电致发光
5.3.1 光致发光和阴极射线发光
5.3.2 电致发光
§6.4 结论
第六章 发光薄膜 猪口敏夫 三户左内著 戴仁崧译
§6.1 简况
§6.2 薄膜电致发光器件
6.2.1 分子中心发光
6.2.2 ZnS∶Mn薄膜电致发光
§6.3 具有双绝缘层结构的ZnS∶Mn薄膜的电致发光
6.3.1 器件的结构和制作
6.3.2 器件的性能
6.3.3 固有记忆功能
§6.4 用于平板信息显示屏的薄膜电致发光
6.4.1 薄膜电致发光电视显示屏
6.4.2 薄膜电致发光屏的记忆功能在信息显示上的应用
6.4.3 具有固有记忆的薄膜电致发光字符显示屏
§6.5 结论
参考文献
索引
京公网安备 11010102004214号