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内容简介
CMOS技术已成为微电子技术中的主导技术，而闩锁效应一直是影响CMOS器件可靠性的严重问题．本书是第一本有关闩锁问题的专著．全书可分为三部分．内容包括闩锁问题结构上的起因、各种触发方式及其分类；PNPN结构的集总元件模型、闩锁判据、安全工作区、传输线模型，以及闩锁特性的测量和如何防止闩锁的发生等．
本书侧重介绍闩锁的起因、物理机制和模型，以及避免闩锁的保护措施，因而具有较强的实用性．本书既可作为从事微电子学研究、设计的科技人员参考，也可作为大专院校电子工程、半导体专业师生的参考书．
目录
- 序言：本书的写作缘由
致谢
第一章 引言
1.1 CMOS：崛起的VLSI工艺
1.2 闩锁的预防：历史的分析
1.3 VLSI CMOS中的闩锁：一个需要继续关心的问题
第二章 闩锁的概述
2.1 结构上的起因和集总元件模型
2.2 举例——悬空N阱结构中的闩锁问题
第三章 闩锁问题的描述
3.1 阻塞态和闩锁态
3.2 闩锁产生的必要条件
3.3 触发方式
3.3.1 输出节点的上冲/下冲
3.3.2 输入节点的上冲/下冲
3.3.3 N阱结的雪崩击穿
3.3.4 从N阱到外部N型扩散区的穿通
3.3.5 从衬底到内部P型扩散区的穿通
3.3.6 寄生场区器件
3.3.7 光电流
3.3.8 源-漏结雪崩击穿
3.3.9 位移电流
3.4 触发方式分类
3.4.1 第一类：第一个双极型晶体管的外部触发
3.4.2 第二类：两个双极型晶体管的正常旁路电流触发
3.4.3 第三类：两个双极型晶体管的退化旁路电流触发
3.4.4 闩锁顺序和分类总结
第四章 闩锁模型及分析
4.1 早期的闩锁模型
4.1.1 钩形集电极晶体管
4.1.2 半导体可控整流器
4.2 PNPN集总元件模型的发展
4.2.1 电阻元件
4.2.2 寄生双极型的行为
4.2.3 早期的闩锁判据
4.3 闩锁的物理分析——一个新方向
4.3.1 半导体的电流关系式
4.3.2 静态闩锁的判据：一个不正确的选择
4.3.3 微分闩锁判据：稳定性问题
4.3.4 大注入效应
4.4 安全区——阻塞态的严格定义
4.4.1 对称PNPN结构
4.4.2 N阱悬空的三极管
4.4.3 衬底悬空的三极管
4.4.4 普通四极管
4.5 饱和区模型——一个新观点
4.5.1 电流方程
4.5.2 微分电阻
4.5.3 保持电流
4.5.4 保持电压
4.6 闩锁的图解说明——触发类型2
4.6.1 样品分析
4.6.2 安全区图和开关转换电流
4.7 集总元件模型的修正——一个有用的前景
4.7.1 闩锁的传输线模型
4.7.2 传输电阻
4.8 动态闩锁效应
4.8.1 闩锁与时间关系的来源
4.9 模型和分析综述
第五章 闩锁特性的测量
5.1 测量仪器
5.1.1 曲线示踪仪
5.1.2 参数分析仪
5.2 两端特性的测量
5.2.1 电源过压应力
5.2.2 电源过流应力
5.3 三端和四端特性的测量
5.3.1 发射极或基极端外加电压激发
5.3.2 旁路电阻端的电流源激发
5.3.3 发射极端的电流源激发
5.4 开关转换点特性的测量
5.5 保持点特性的测量
5.6 动态触发
5.7 温度关系
5.8 非电探针测量
5.9 闩锁特性测量的总结
第六章 闩锁的防止
6.1 版图设计布局规则
6.1.1 保护结构
6.1.2 多条阱接触
6.1.3 衬底接触环
6.1.4 紧邻源极接触
6.2 破坏双极特性的工艺技术
6.2.1 减小寿命
6.2.2 基区的减速场
6.2.3 肖特基势垒源-漏极
6.3 双极型去耦工艺技术
6.3.1 外延CMOS
6.3.2 较低薄层电阻的退化阱
6.3.3 衬底和阱的偏置
6.3.4 深槽隔离技术
6.4 CMOS的设计考虑
6.5 无闩锁的设计
6.5.1 纵向寄生管去耦（DVP）
6.5.2 横向寄生管的去耦（DLP）
第七章 总结
7.1 问题的描述
7.2 模型和分析
7.3 特性的测量
7.4 避免闩锁发生
附录A PNPN器件的电流-电压特性测量的稳定性研究
附录B 闩锁测量可能存在的问题
符号说明
参考文献
汉英名词对照
京公网安备 11010102004214号