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内容简介
本书介绍了半导体的基本理论和工艺。包括能带论、半导体两种载流体的运动情况、PN结的特性和制造。书中重点阐述了晶体管的种种特性。对半导体的“表面”和“界面”问题也作了专门描叙。此外,对半导体的新材料、新器件、集成电路和超大规模集成电路亦有系统介绍.
本书条理清晰、内容充实,文中以三十余年来半导体的发展史为线索,对每一阶段的理论、工艺进行了对比,使读者对半导体物理及其工艺能有一全面了解。
本书可供高中以上文化程度的青年学生、教师阅读。
目录
- 第一章 物质世界漫步
§1.1 “原子大厦”——单晶体
§1.2 原子“家庭”
§1.3 电子“周游列国”
第二章 新颖的材料——半导体
§2.1 半导体的诞生
§2.2 半导体象导体又象绝缘体
§2.3 半导体中运载电流的两种载流子——电子和空穴
§2.4 不纯——P型和N型半导体
§2.5 半导体载流子的漂移和扩散
第三章 奇妙的PN结
§3.1 P型和N型半导体的接触——PN结的形成
§3.2 运输电流长街上的“红绿灯”——PN结整流
§3.3 反向电流的激增——PN结击穿
§3.4 存放载流子的“仓库”——PN结电容
§3.5 PN结二极管的制造方法平面工艺简介
第四章 一座崭新的里程碑——晶体管
§4.1 平面型晶体管实例
§4.2 晶体管电流传输的三部曲
§4.3 电流由小变大——晶体管的放大
§4.4 晶体管的直流特性
§4.5 晶体管的频率响应
§4.6 晶体管的开关特性及电荷贮存效应
第五章 半导体的表面和界面
§5.1 半导体表面结构和表面电子状态
§5.2 半导体表面的积累层、耗尽层和反型层
§5.3 MIS电容
§5.4 金属-半导体接触
§5.5 实际MIS电容器的C-V特性及其应用
第六章 新材料和新器件
§6.1 三“加”五“等于”四——Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
§6.2 非晶态半导体
§6.3 超晶格和分子束外延
§6.4 简并半导体和隧道结
§6.5 体内效应和耿氏管
§6.6 场效应晶体管
§6.7 电荷耦合器件(CCD)简介
第七章 微电子时代的信息——集成电路与超大规模集成电路
§7.1 集成电路的基础工艺技术
§7.2 计算机辅助设计技术
§7.3 集成电路“大家庭”
§7.4 逻辑集成电路集锦
§7.5 大规模和超大规模集成电路