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半导体物理　下册


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半导体物理　下册
  • 书号：
    作者：
  • 外文书名：
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    开本：
  • 页数：0
    字数：154000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：O47 半导体物理学
  • 定价： ￥1.65元
    售价： ￥1.30元
  • 图书介质:
    纸质书

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内容介绍

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内容简介
本书系统、详细地讲述了从固体物理基础直到半导体器件原理的有关知识．全书分上、下两册：上册主要讲述固体物理和半导体物理基础，包括六章：固体物理基础、固体原子论、固体电子论、半导体的电学性质、半导体的光学性质、半导体的声子特性．下册主要讲述器件物理，包括四章：半导体界面物理、半导体电子器件物理、光电子器件物理、无定形半导体的物理性质．本书内容丰富、取材较新，反映了半导体物理和半导体器件的近期发展状况，而且基本概念讲解清楚，数学推导较为详尽．
本书可供理工科大学半导体物理和半导体器件专业的高年级学生及研究生参考，也可作为与半导体有关的科技人员的入门参考书．
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目录

  • 第七章 半导体界面物理
    §37 半导体表面的特性
    §38 半导体表面（清洁表面和实际表面）
    §39 ρ-n结
    39.1 ρ-n结的能带图
    39.2 ρ-n结的过渡区和势垒电容
    39.3 ρ-n结的扩散电流和整流特性
    39.4 ρ-n结的过剩电流
    39.5 ρ-n结的强电场现象
    §40 异质结
    40.1 异质结及其界面
    40.2 异质结的阻挡层
    40.3 异质结阻挡层的特性
    §41 金属-半导体界面
    41.1 金属表面和肖特基效应
    41.2 肖特基势垒
    41.3 肖特基势垒的整流特性
    41.4 金属和半导体的欧姆接触
    §42 半导体-电介质界面
    §43 晶粒间界
    习题
    第八章 半导体电子器件物理
    §44 肖特基势垒二极管（SBD）
    §45 齐纳二极管和江崎二极管
    §46 双极型晶体管
    46.1 晶体管作用
    46.2 结型晶体管的原理和静态特性
    46.3 工作特性和α*，β，γ
    46.4 α截止频率和优值
    46.5 漂移晶体管
    §47 闸流晶体管
    47.1 闸流晶体管及其种类
    47.2 可控硅的工作原理和电压-电流特性
    §48 单极晶体管
    48.1 场效应晶体管原理
    48.2 结栅型场效应晶体管
    48.3 绝缘栅型场效应晶体管
    §49* 电荷转移器件
    49.1 CCD
    49.2 BBD
    §50 MOS存贮器件
    50.1 半导体不挥发性存贮器
    50.2 MNOS存贮器件
    §51 渡越时间器件
    §52 转移电子器件
    52.1 谷间转移和负微分迁移率
    52.2 高场畴和电流振荡
    52.3 微波振荡器件
    52.4 功能逻辑器件
    §53 表面声波器件
    习题
    第九章 光电子器件物理
    §54 光电探测器
    54.1 光敏电阻
    54.2 光电二极管
    54.3 高速光电二极管
    54.4 太阳电池
    §55 半导体发光器件
    55.1 注入型电致发光
    55.2 发光二极管（LED）
    55.3 半导体激光器
    55.4 本征发光和本征发光器件
    §56* 布里渊散射和光偏向器件
    第十章* 无定形半导体的物理性质
    §57 无定形半导体的特征
    §58 无定形半导体的基本性质
    §59 无定形半导体的状态密度
    §60 无定形半导体的电学性质
    60.1 迁移率隙和能带传导迁移率
    60.2 经过定域态能级的载流子迁移
    60.3 强电场现象
    §61 无定形半导体的光学性质
    §62 可逆相变
    §63 内部积蓄能量及性质的变化
    参考文献
    参考书
    习题解答和提示
    主要半导体的电子物理常数
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