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内容简介
本书是半导体中的键和能带方面的一本入门书．全书共分十章：一至四章介绍晶体的结构、共价键和离子键晶体的弹性和压电常数，以及晶体点阵振动；五至八章介绍能带、赝势、电荷密度，以及半导体的光谱和热化学特性；九、十两章介绍杂质在半导体中的状态、特性，以及一些最基本的半导体器件．
本书可作为科研、工程技术人员及大学高年级学生的参考书．
目录
- 序言
第一章 晶体结构
什么是半导体？
能带
金属、绝缘体和半导体
允许的和禁止的能量
价键
键的计算
原子轨道
杂化轨道
成键的定义和定则
键能隙和带能隙
四面体配位
层状结构
荧石键
相对论性的结构
硫族化合物
缺陷和超量化合物
过渡金属半导体
键长和半径
有理化半径
杂质半径
层键
小结
第二章 共价键和离子键
原子的电子位形
原子实的d电子
普适半导体模型
共价键和离子键的特性
对称势和反对称势
离子性的库尔森定义
离子性的泡令定义
泡令的定义推广到晶体
泡令定义的局限性
中间途径
同极能隙
复杂能隙和共振
异极能隙
离子性的最新定义
离子性定义的统计检验
边缘晶体
真实（无畸变）的标度
内聚能
共价成键的巡回特性
原子实修正
负电性表
历史的回顾
小结
第三章 弹性常数和压电常数
应力和应变
简谐应变能量
不变性条件
模型力场
金刚石点阵
闪锌矿点阵
切应变常数和离子性
内应变
压电常数
压电效应的由来
纤锌矿晶体
黄铜矿晶体
小结
第四章 点阵振动
布里渊区
实验决定ω（k）
简正模
模的描述
和定则
光学有源模
红外模和有效电荷
喇曼有源模
极化声子
金刚石型半导体的频散曲线
静电模型
闪锌矿型频散曲线
灰Sn的金属化
热膨胀
杂质原子的振动
小结
第五章 能带
能带理论的术语
近自由电子模型
硅的价带
琼斯（Jones）区
简化带
各向同性模型
久期方程
各向同性模型的介电函数
重要的各向异性
导带
带边的曲率
微扰理论
特殊情形
原子轨道
特殊的带结构
金刚石和硅
锗和砷化镓
锑化铟和砷化铟
灰锡和硫化汞
有效质量参数
PbS族
小结
第六章 赝势和电荷密度
原子的波函数
原子的赝势
晶体势
晶体的波函数
赝原子形状因子
金属键
共价键
离子键
半导体波函数
赝电荷密度
原子的电荷
键电荷
部分离子性的电荷分布
导带状态
带边与压力的关系
能隙与温度的关系
小结
第七章 基本光谱
单电子激发
线光谱和连续（带）谱
介电函数
和定则
直接跃迁阈
锗
光电子发射
微分技术
带间能量
原子实d电子
原子价的光谱学定义
带间能量的化学趋势
自旋-轨道分裂
晶体场分裂
非线性极化率
小结
第八章 半导体热化学
内聚能
泡令的描述
离子性和金属化
生成热
熔化熵
PbS或AN B10ˉN族
压强引起的相变
理想溶液
正常溶液
准二元合金
弯曲参量
准二元合金的结晶
虚拟晶体模型
元素合金中的光跃迁
准二元合金的能隙
小结
第九章 杂质
晶体生长和完美性
化合物半导体的理想化学配比
浅杂质态和深杂质态
填隙杂质和替位杂质的扩散
分配系数
施主和受主
等价杂质
球状（类氢）模型
能带边的简并
能谷的各向异性
化学移位和中心原胞修正
化合物半导体中的杂质态
自由激子和束缚激子
施主-受主对和等价杂质对
自补偿
多价杂质
过渡金属杂质
小结
第十章 势垒、结和器件
费米能级
能带弯曲
金属-半导体接触
p-n结
载流子注入和俘获作用
结型晶体管
隧道二极管
雪崩二极管
为什么要用Si？
微波的进展
发光
结型激光器
谷间转移振荡器
半导体和材料科学
参考文献
京公网安备 11010102004214号