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半导体缺陷电子学

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作者：
外文书名：
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页数：0

字数：518000

语种：
出版社：科学出版社

出版时间：
所属分类：O47 半导体物理学
定价： ￥5.45元

售价： ￥4.31元

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纸质书

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内容简介
缺陷对半导体的电学、光学、力学性质，器件的性能及成品率有着决定性的影响．本书系统地论述了载流子输运的基本原理、半导体中的各种缺陷，并着重介绍了位错的力学、电学性质，载流子输运的各向异性，位错的控制生长，以及利用位错制备特殊性能的器件．
本书是一本全面而又深入地论述半导体缺陷电子学的专著，既可供从事半导体材料、物理、器件及晶体缺陷研究的科技人员参考，也可作高等院校师生及研究生的参考书．

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第一章引言
第二章荷电载流子的输运原理
2.1 波在周期性和近于周期性结构中的传播
2.2 布里渊区，布洛赫波函数
2.3 周期场中的电子（能带论）
2.4 施主和受主
2.5 复合
2.6 光子、声子和电子
2.7 缺陷电子
2.8 有效质量
2.9 带间跃迁
2.10 散射
第三章晶体缺陷的分类
第四章线性延伸和平面延伸的不完整性——位错
4.1 刃型位错
4.2 系属和小角度晶界
4.3 螺型位错
4.4 孪生
4.5 位错平面
第五章位错的连续性理论
第六章辐照损伤与位错
第七章位错平面的主要力学性质
7.1 应力场和应变能
7.2 晶粒间界能及稳定性
第八章半导体中位错的基本电学性质
8.1 孪晶界的电学特性
8.2 螺型位错
8.3 刃型位错
8.4 小角度系属和晶粒间界
8.5 关于主晶格的差别
第九章荷电载流子输运的各向异性
9.1 刃型位错管道
9.2 由位错引起的散射作用（统计分布）
9.3 刃型位错及其产生的空间电荷
9.4 位错中心的电子占有率
9.5 位错和非辐射复合
9.6 位错和辐射复合
9.7 电噪声和位错
第十章位错间界的电学性质
10.1 系属间界
第十一章小角度和中角度晶粒间界
11.1 薄片电导
11.2 晶粒间界势垒
11.3 霍尔效应数据
11.4 磁阻效应
11.5 输运的各向异性
11.6 场效应
11.7 光电效应
第十二章位错的控制生长
12.1 范性形变
12.2 双籽晶技术
12.3 双晶的生长和完整性
12.4 晶粒间界扩散和杂质分布
第十三章器件应用
13.1 光电方面（测微术）的应用
13.2 光电频率转换器
13.3 位错场效应晶体管
13.4 应力-应变传感器
第十四章位错与半导体器件的电学性质
14.1 结型器件中位错概述
14.2 位错与半导体激光器的退化
14.3 体器件中的位错
14.4 在同质和异质外延中产生的位错
第十五章无定形半导体中的位错和沟道导电
第十六章结论
附录半导体晶体和薄膜的电学性质的测量
符号
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