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半导体(第二版)


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半导体(第二版)
  • 书号:703000048X
    作者:
  • 外文书名:
  • 装帧:
    开本:16
  • 页数:234
    字数:418000
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:2016-02-03
  • 所属分类:O47 半导体物理学
  • 定价: ¥4.30元
    售价: ¥3.40元
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内容简介
本书是根据R.A.史密斯著《半导体》第二版译出的(1966年曾翻译出版了第一版).新版在第一版的基础上作了较大的修改和增删,除保留了半导体物理的基本内容,如能级图、杂质和缺陷、载流子统计、热学性质、输运现象和散射、电子-空穴的扩散和复合、光学和高频效应等传统内容外,新增的内容有能带结构和有效质量近似、强电磁场和高压下的输运和光学性质、半导体材料及一些专题,如电子-空穴滴、激光、极化激元、重掺杂半导体等,和非晶态半导体.书中及书后附有较多的参考文献.
本书可作为理工科高年级大学生及低年级研究生的教材,也可供半导体科学技术工作者、物理、化学、冶金学、电子技术及其他有关专业的科技工作者、工程师及高等学校的教师参考.
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  • 第一版序(节录)
    第一章 半导体的基本性质
    1.1 关于半导体的早期工作
    1.2 半导体的应用
    1.3 半导体的基本理论
    1.4 载流子密度的控制
    第二章 晶体中的能级
    2.1 自由电子的波动力学
    2.2 在周期性势场中的运动
    2.3 能带的形状
    2.4 正空穴
    2.5 在外力场作用下晶体中电子和空穴的运动
    2.6 能级图
    2.7 晶体中电子和空穴运动的阻力
    第三章 晶体中的杂质和不完整性
    3.1 不完整性的类型
    3.2 半导体的化学键合
    3.3 确定半导体的另一种途径
    3.4 半导体中的替代式杂质
    3.5 激子
    第四章 热平衡中的载流子浓度
    4.1 电子在各能级中的分布
    4.2 本征半导体
    4.3 有杂质能级的半导体
    第五章 电子输运现象
    5.1 与晶体不完整性的碰撞——弛豫时间τ
    5.2 恒定的弛豫时间τ
    5.3 弛豫时间是E的函数
    5.4 极低温度下的电导
    第六章 半导体中的热效应
    6.1 热导率
    6.2 温差电动势率
    6.3 热磁效应
    6.4 简并化的情形
    6.5 强磁场
    6.6 磁效应的相对大小
    第七章 电子和正空穴的扩散
    7.1 非均匀半导体
    7.2 爱因斯坦关系
    7.3 对热平衡的偏离
    7.4 电子-空穴复合
    7.5 非本征材料(n#p或p#n)中的扩散和漂移
    7.6 少数载流子脉冲在电场中的漂移
    7.7 近本征材料
    7.8 各种接触现象的比较
    7.9 pn结
    7.10 nn结和pp结
    7.11 表面效应
    7.12 金属-半导体接触
    7.13 电子和空穴的漂移迁移率
    7.14 异质结
    第八章 电子和空穴的散射
    8.1 状态的改变
    8.2 散射机制
    8.3 晶格振动散射
    8.4 声子
    8.5 晶格散射的弛豫时间
    8.6 极性半导体中光学模式的散射
    8.7 谷间散射
    8.8 电子间的散射
    8.9 电离杂质散射
    8.10 中性杂质散射
    8.11 位错散射
    8.12 散射对迁移率的影响
    第九章 电子和空穴的复合
    9.1 复合机制
    9.2 辐射复合
    9.3 俄歇复合
    9.4 通过陷阱的复合
    9.5 通过激子的复合
    9.6 在位错上的复合
    9.7 在低温下同施主或受主的复合
    9.8 表面复合
    9.9 在丝状样品和薄片样品中的平均寿命
    第十章 半导体中的光学效应和高频效应
    10.1 半导体的光学常数
    10.2 自由载流子吸收
    10.3 等离子体共振
    10.4 磁场中的高频效应
    10.5 基本吸收
    10.6 激子吸收
    10.7 杂质吸收
    10.8 晶格吸收
    10.9 光电导
    10.10 横向光电压
    10.11 光磁效应
    10.12 光子拖曳
    10.13 电吸收和电反射
    10.14 来自半导体的辐射的发射
    第十一章 能带结构和有效质量近似
    11.1 有效质量概念
    11.2 布洛赫函数和瓦尼尔函数
    11.3 能带结构的计算方法
    11.4 能带结构的计算
    11.5 有效质量近似
    11.6 磁量子化
    第十二章 输运和光学性质的强电场与磁场效应
    12.1 分布函数的修正
    12.2 电子和晶格之间的能量交换
    12.3 热电子
    12.4 转移电子效应
    12.5 强磁场中电子运动的量子理论
    12.6 电子自旋引起的能级劈裂
    12.7 磁场对带间跃迁的影响
    12.8 强磁场中的输运现象
    12.9 载流子冻结
    第十三章 半导体材料
    13.1 用于固态器件和基础研究的材料
    13.2 半导体材料的制备和测量
    13.3 硅和锗
    13.4 其它元素半导体
    13.5 Ⅲ-Ⅴ族化合物
    13.6 Ⅱ-Ⅵ族化合物
    13.7 三元和四元化合物
    13.8 窄能隙半导体
    13.9 氧化物半导体
    13.10 耐高温半导体
    13.11 超导电性半导体
    13.12 磁性半导体
    13.13 有机半导体
    13.14 低迁移率半导体
    13.15 其它半导体
    第十四章 一些专题
    14.1 激子分子
    14.2 激子凝聚成电子-空穴滴
    14.3 极化子和极化激元
    14.4 重掺杂半导体
    14.5 高压效应
    14.6 半导体中的激光作用
    14.7 自旋反转散射和自旋反转激光器
    14.8 晶格振动的拉曼散射
    第十五章 非晶态半导体
    15.1 新的理论概念
    15.2 电子态
    15.3 点阵振动
    15.4 非晶态Si和Ge
    15.5 其它的非晶态元素半导体
    15.6 其它简单的非晶态化合物半导体
    15.7 玻璃态半导体
    15.8 结束语
    参考书目
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