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半导体材料的辐射效应


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半导体材料的辐射效应
  • 书号：7030033221
    作者：曹建中
  • 外文书名：
  • 装帧：
    开本：
  • 页数：0
    字数：267000
    语种：
  • 出版社：科学出版社
    出版时间：
  • 所属分类：O47 半导体物理学
  • 定价： ￥12.00元
    售价： ￥9.48元
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内容介绍

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内容简介
本书以原子物理和核物理为基础，分析辐射与半导体材料相互作用的微观机制。全书共六章：第一章介绍半导体材料辐射效应的基础知识；第二章至第四章分别讨论半导体材料的辐射掺杂效应、电离效应和位移效应；第五章介绍了测量辐射损伤缺陷性质的重要方法；第六章介绍了材料的辐射效应与电子元器件辐射效应的关系。
本书可供大学原子核物理等有关专业师生参考；也可供从事抗辐射电子学研究和器件研制的有关人员参考。
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目录

  • 第一章 基础知识
    1.1 半导体物理基础
    1.2 辐射的基本概念
    1.3 辐射与物质的相互作用
    参考文献
    第二章 半导体的辐射掺杂
    2.1 半导体的离子注入掺杂
    2.2 中子嬗变掺杂
    参考文献
    第三章 电离效应
    3.1 体半导体的电离效应
    3.2 绝缘体材料的电离效应
    3.3 辐射感生界面态和氧化物电荷
    3.4 电离效应的相关性——剂量增强效应
    参考文献
    第四章 位移效应
    4.1 位移损伤缺陷的形成
    4.2 位移损伤缺陷对宏观电参数的影响
    4.3 位移损伤的相关性
    4.4 小结
    参考文献
    第五章 辐射损伤缺陷测量
    5.1 电子显微镜方法
    5.2 沟道-背散射方法
    5.3 红外光谱方法
    5.4 电子顺磁共振（EPR）方法
    5.5 深能级瞬态谱仪（DLTS）方法
    5.6 正电子湮没技术（PAT）
    5.7 其它方法
    5.8 小结
    参考文献
    第六章 结语
    6.1 电子材料辐射效应摘要
    6.2 半导体元器件的辐射效应
    6.3 辐射效应的应用
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