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固体中的光散射


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固体中的光散射
  • 书号:
    作者:
  • 外文书名:
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    开本:
  • 页数:0
    字数:278000
    语种:
  • 出版社:科学出版社
    出版时间:
  • 所属分类:O47 半导体物理学
  • 定价: ¥3.05元
    售价: ¥2.41元
  • 图书介质:
    纸质书

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内容介绍

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内容简介
本书专门论述半导体中光的非弹性散射.在第一章引言后,八位作者分别对下述六个课题作了专门论述:半导体和绝缘体中光的非弹性散射之基础;共振喇曼散射;电子喇曼散射;非晶态半导体中的喇曼散射;半导体中的布里渊散射及受激喇曼散射.各章末收集了大量具有代表性的参考文献.
本书可供固体物理和光学有关专业的大学师生、研究生和研究人员参考.
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目录

  • 第一章 引言
    1.1 历史评述
    1.2 半导体中的声子散射
    1.3 声子散射中的共振
    1.4 声子散射理论
    1.4.1 单声子散射
    1.4.2 双声子散射
    1.4.3 热发光
    第二章 半导体和绝缘体的非弹性光散射原理
    2.1 光的非弹性散射过程
    2.1.1 散射截面
    2.1.2 光的非弹性散射过程运动学
    2.1.3 光散射选择定则
    2.2 半导体和绝缘体的集体激发引起的喇曼散射
    2.2.1 微观表述
    声学声子的布里渊散射
    光学声子的喇曼散射
    等离子体激元的喇曼散射
    喇曼光谱的线型
    2.2.2 唯象表示
    对波矢的依赖关系和形态效应
    形态效应
    2.3 光学声子一级喇曼张量对频率的依赖关系
    2.3.1 共振增强
    2.3.2 原子位移喇曼张量
    二能带共振项
    三能带共振项
    与q有关的项
    形态效应
    2.3.3 电光喇曼张量
    三能带电光喇曼张量
    二能带电光喇曼张量:与q有关的项
    电场感生对电光喇曼张量的贡献
    2.4 结束语
    第三章 共振喇曼散射
    3.1 基本定义和基本性质
    3.2 喇曼矩阵元
    3.3 哈密顿,对称性及选择定则
    3.4 特例讨论
    3.4.1 共振喇曼散射的共同点
    3.4.2 单个分立的居间态和末态
    Cu2O中的一级共振喇曼散射
    I2分子中的共振喇曼散射
    CdS 中的一级共振喇曼散射
    3.4.3 连续的居间态:每个末态一个
    3.4.4 连续的居间态和一个分立的末态
    固体中的连续谱带
    分子中的连续谱带
    3.4.5 连续的居间态和末态
    3.5 结论
    第四章 电子喇曼散射
    4.1 半导体中自由载流子的光散射
    4.1.1 自由电子气的光散射理论
    4.1.2 布洛赫电子的光散射
    4.1.3 GaAs的实验结果
    4.1.4 纵向光学声子-等离子体激元耦合模式的散射
    4.2 束缚电子和束缚空穴的喇曼散射
    4.2.1 实验结果——受主
    4.2.2 实验结果——施主
    4.2.3 施主喇曼跃迁的有效质量理论
    4.2.4 受主喇曼跃迁的有效质量理论
    4.2.5 讨论
    4.3 电子-声子耦合激发的喇曼散射
    4.3.1 理论导言
    4.3.2 硅中与带间空穴跃迁相耦合的声子
    4.3.3 GaP中束缚于中性施主的光学声子模
    4.3.4 SiC中谷-轨道和E2声子的耦合激发
    4.4 单粒子谱
    4.4.1 引言
    4.4.2 自旋密度涨落引起的散射
    4.4.3 能量密度涨落引起的光散射
    4.4.4 极强共振条件下的单粒子偏振散射
    4.4.5 电子速度分布
    4.5 多种载流子效应
    4.5.1 引言
    4.5.2 理论
    4.5.3 声学等离子体激元
    4.5.4 金属-半导体过渡
    4.6 结论
    4.6.1 目前的认识和将来可能的趋势
    4.6.2 自旋反转喇曼散射的说明
    第五章 非晶态半导体中的喇曼散射
    5.1 四面体键合的非晶态半导体
    5.1.1 Ⅳ族元素薄膜——基本概念
    5.1.2 非晶态Si与Ge的喇曼散射光谱
    5.1.3 数值理论
    5.1.4 其他的理论方法
    5.1.5 非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物
    5.1.6 非晶态SiC和Ⅳ族合金
    5.2 非晶态硫属元素和硫属化合物
    5.2.1 非晶态半导体中的Ⅵ族元素
    5.2.2 喇曼光谱的分子解释
    5.2.3 非晶态S,Se和Te引起的喇曼散射
    5.2.4 硫化砷及有关的玻璃
    5.2.5 锗的硫属化合物的结构
    第六章 半导体中的布里渊散射
    6.1 布里渊散射的基本情况
    6.1.1 运动学,声速,声子寿命
    6.1.2 光弹常数
    6.1.3 设备
    6.2 声电效应
    6.2.1 畴的探测
    6.2.2 对热声子的影响
    6.3 不透明性对谱线形状的影响
    6.4 共振散射效应
    6.4.1 理论上的散射系数
    6.4.2 实验的散射系数
    6.4.3 对新的模式的预期
    6.5 受激布里渊散射
    第七章 受激喇曼散射
    7.1 基本原理
    7.2 受激喇曼散射理论
    7.2.1 泵浦波和斯托克斯波的耦合
    7.2.2 喇曼极化率
    7.2.3 光子和声子之间的参量耦合
    7.2.4 斯托克斯-反斯托克斯耦合
    7.2.5 高次喇曼效应
    7.3 实验观察
    7.3.1 自聚焦引起的反常效应
    7.3.2 非自聚焦介质中的喇曼振荡
    7.3.3 喇曼增益测量
    7.3.4 反斯托克斯和高级次喇曼辐射
    7.3.5 受激反斯托克斯吸收
    7.3.6 不同喇曼模式之间的竞争
    7.3.7 受激喇曼散射和其他非线性光学过程之间的竞争
    7.3.8 固体中的受激喇曼散射
    7.4 受激电磁声子散射
    7.5 受激自旋反转喇曼发射
    7.6 瞬态的受激喇曼散射
    7.7 受激喇曼散射的应用
    7.7.1 振动寿命的测量
    7.7.2 三级非线性极化率的测量
    7.7.3 低浓度物质的检测
    7.7.4 其他各种应用
    7.8 结束语
    第八章 综述
    参考文献
    补充参考文献
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