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内容简介
杂质问题是半导体的最重要、最基本的问题之一．深能级杂质和半导体的发光、光电、电学、热学、力学等性质关系极大，并在空间电荷限定电流效应、复合波振荡、畴振荡、杂质碰撞电离效应等方面都起着关键作用．
本书是一本论述半导体中杂质问题的专著，系统地总结了1973年以前有关半导体杂质的研究工作，较深入地讨论了锗、硅、Ⅲ-V族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物中的深能级杂质问题．本书可供半导体物理、器件、材料方面的科研工作者，以及高等院校有关专业的教师、研究生和高年级学生参考．
目录
- 第一章 能级概念
1.1 浅能级杂质
1.2 浅能级杂质电离能的计算
1.3 深杂质能级问题
1.4 深杂质能级
第二章 硅和锗中的深杂质能级
2.1 硅：Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ族杂质
2.2 硅中含有Ni，Pd，Pt，Co，Fe，Mn，Cr和W
2.3 固溶度与分布系数的关系
2.4 硅中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te
2.5 硅中含有Ⅵ族元素C，Ge和Sn
2.6 硅中含有其它杂质Li，N，稀土族和辐照引发能级
2.7 掺在锗中的杂质
2.8 锗中含有Ⅱ族杂质Be，Zn，Cd和Hg
2.9 锗中掺有Li，Cu，Ag，Au和其它Ⅰ族元素
2.10 锗中掺有Ni，Pt，Co，Fe，Mn和Cr
2.11 锗中掺有Ⅵ族元素杂质：O，S，Se和Te
2.12 锗中的其它杂质
第三章 砷化镓和其它Ⅲ-V族化合物中的深杂质能级
3.1 GaAs中含有Ⅰ族杂质Li，Na，Cu，Ag和Au
3.2 GaAs中含有Ⅱ族杂质Be，Mg，Zn，Cd和Hg
3.3 GaAs中含有Ⅳ族杂质C，Si，Ge和Sn
3.4 GaAs中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te
3.5 GaAs中含有过渡族元素Cr，Mn，Fe，Co,Ni和V
3.6 GaAs中稀土族元素的研究Tm和Nd
3.7 GaP和InP中的深能级杂质
3.8 InSb,lnAs,GaSb和AlSb中的深能级杂质
第四章 深能级杂质的稳定态统计学
4.1 部分补偿的半导体统计学，ND＞NA
4.2 简并度因子
4.3 具有两个独立施主能级的半导体
4.4 带有两重性的掺杂剂
4.5 多重能级杂质的广义统计学
第五章 陷阱概念：强陷阱模型和场致效应
5.1 Lax的级联俘获模型
5.2 电场对由中性陷阱发射载流子的影响
5.3 其它场效应
第六章 在大块材料中作为复合中心和陷阱的深能级杂质
6.1 单能级的复合和产生
6.2 寿命的进一步分析
6.3 掺铟硅中的寿命
6.4 表面复合效应
6.5 含有一个电子陷阱和一个复合中心的半导体中的复合作用
6.6 俘获和复合动力学的一般考虑
6.7 掺金硅的瞬态寿命等值图
第七章 含深能级杂质的大块半导体中的光电导性和瞬态效应
7.1 与单一深受主能级有关的非本征光电导性
7.2 杂质光电导性中的瞬态效应
7.3 掺银硅的光电导性衰减
7.4 由“带隙宽度”能量的光引发的本征光电导性
7.5 涉及两种波长光的光电导性效应
7.6 光电导探测器的性能
第八章 半导体结中深能级杂质的复合和俘获效应
8.1 由pn结中深的产生-复合中心所引起的产生和复合电流（Sah-Noyce-Shockley模型）
8.2 深能级杂质对二极管特性影响的实验观察
8.3 在深能级杂质存在的情况下结电容随频率的变化
8.4 耗尽区中电容和反向电流的瞬态变化
8.5 其它结型结构中深能级杂质效应
第九章 陷阱的热激电流的研究
9.1 准平衡分析
9.2 通用公式
9.3 快的重俘获分析
9.4 一般分析
9.5 数值估计
9.6 从起始上升曲线的斜率求能级
9.7 两个陷阱能级的相互作用
9.8 硅的若干实验研究
9.9 热激电流的其他实验研究
9.10 电场对TSC测量的影响
9.11 结耗尽区中的热激电流
第十章 深能级杂质的寿命和俘获截面的测量方法
10.1 现有方法的回顾
10.2 光电磁效应
10.3 扩散长度和漂移技术
10.4 结耗尽技术
10.5 深能级杂质的噪声研究
10.6 硅中的俘获截面
第十一章 含深能级杂质的半导体中空间电荷限定电流的研究
11.1 Ashley-Milnes空间电荷状态
11.2 深能级杂质的密度梯度效应
11.3 在双注入状态中细丝状物的形成
11.4 作为GaAs中双注入阈值的一个因素——光学反馈
11.5 双注入负阻特性的可能用途
第十二章 高阻深能级杂质半导体中陷阱控制畴的传播和其他振荡现象
12.1 由场增强俘获作用所产生的畴的分析
12.2 与畴振荡实验观测结果的关系
12.3 在硅pin结构中由深能级引起的振荡现象
12.4 复合波振荡现象
12.5 其它振荡形式
第十三章 深能级杂质的电场碰撞电离作用
13.1 硅中铟、镍和金的碰撞电离模型
13.2 实验研究
13.3 在高密度碰撞中心下的重迭效应
13.4 小结
第十四章 与深能级杂质有关联的杂质带电导和跳跃
14.1 杂质带电导
14.2 跳跃电导率及其与频率的关系
14.3 与深能级杂质的关系
符号
参考文献
京公网安备 11010102004214号